Burn-In용Sorter
반도체 특성검사 설비중 Burn-In system에 사용되는 Burn In Board에 반도체 소자를 자동으로 삽입하고 Test 종료후에 Burn In Board에서 반도체를 제품의 Grade에 맞게 자동으로 분류하는 장치대일무역 역조해소
- 보유기관
- 한국생산기술연구원
- 등록일
- 2000-04-07
산업기술 통합검색
반도체 특성검사 설비중 Burn-In system에 사용되는 Burn In Board에 반도체 소자를 자동으로 삽입하고 Test 종료후에 Burn In Board에서 반도체를 제품의 Grade에 맞게 자동으로 분류하는 장치대일무역 역조해소
금속, 반도체와 더불어 그 응용범위가 확대 되어가고 있는 세라믹 재료의 가공기술은 반도체 재료의 가공기술의 발전과 함께 다양한 방법으로 시도되고 있다. Mn-Zn Ferrite 는 오디오, 비디오의 자기 테이프 및 헤드, 컴퓨터 기록장치인 FDD, HDD 의 자기헤드의 소재로 사용되는 등 그 응용범위가 매우 넓은 세라믹 재료이다.자기 기록용량을 크게하려면 페라이트를 미세가공할 필요가 있는데, 페라이트는 깨지기 쉽고, 화학적인 반응성이 낮기 때문에 기계적인 가공이나 종래의 화학습식식각으로는 정밀가공에 한계가 있다. 본 연구에서는 파장 514 ㎚의 Ar+ 레이저를 빔 확장기(expander) 와 집속 렌즈(focusing lens) 를 이용하여 집속 한 후 페라이트에 조사시킴으로써 레이저 유도 습식식각을 행하였다. 레이저 빔을 이용한 가공은 매우 좋은 빔의 집속특성으로 인해 정교한 가공이 가능하고 마스크를 사용하지 않기 때문에 공정이 간단하다. 더우기 레이저 빔에 의한 표면손상은 극히 작기 때문에 종래의 가공법에 비해 페라이트 본래의 우수한 전자기적 특성에 거의 영향을 끼치지 않는다. 반응용액으로는 H3PO4 를 사용하였다. 레이저 유도 습식식각은 빛 가둠(light-guiding) 효과에 의해 큰 종횡비 (aspect ratio = 식각깊이/식각넓이) 를 갖는 홈을 가공할 수 있다. 페라이트의 레이저 유도 습식식각의 반응메카니즘은 다음과 같다. 집속된 레이저 빔이 반응용액과 시료에 조사되면 먼저 시료 표면위에 있는 반응용액이 레이저 빔에의해 활성화 된다. 이후 반응용액과 시료와의 열화학적인 반응을 통해 시료표면의 원자가 활성화된 반응용액과 결합을 하여 시료표면의 원자가 제거된다. 레이저 유도 습식식각을 행한 결과 종래의 화학습식식각에 비해 수 천배 큰 식각율을 얻었고 최소한의 트랙 깊이만을 표면손상이 거의 없이 최대 종횡비 6 을 얻었다. 반응용액 대신에 CClF, CCl 등의 반응가스를 사용하면 건식분위기에서도 레이저 유도식각이 가능하다. 최근의 자기 기록장치는 박막형의 헤드를 이용하는 추세로 앞으로는 페라이트 박막의 정밀가공도 매우 요구될 것이다. 본 연구에서 개발된 레이저 유도 식각은 페라이트의 박막에 대해서도 적용이 가능하므로 매우 응용성이 큰 초정밀 가공기술로 기대된다.
이차전지를 포함하여 전기화학적 에너지 생산·저장 시스템의 성능이나 수명을 결정하는 가장 중요한 요인은 전극 표면, 전극/전해질 계면에서 진행되는 산화/환원 반응이라고 할 수 있다. 이들의 연구를 위하여 그동안 ESCA, AES, LEED등 많은 분광학적 표면 조사 기술을 사용하여 위한 노력이 지속되어 왔다. 그러나, 본질적으로 위의 기술들은 모두 ex-situ 기술로서 반응이 완료된 후에 시편을 cell에서 분리하여 분석용 시편 제작 후 측정하기 때문에 분석 시편 제작동안 있을 수 있는 전극의 여러 가지 변화 및 이물질에 의한 오염에 대해서 대책이 부족하며, transient process에 대한 연구가 불가능하다는 단점을 내포하고 있었다. 이들에 비해 최근에 개발된 EME 기술은 고도의 직진성을 갖는 레이저를 probe beam으로 사용하고, 정밀한 레이저 검출기를 사용하여 전기화학 반응이 일어나는 동안 계면반응에 의한 전극의 변화를 in-situ로 측정할 수 있기 때문에 위에서 제시한 여러 가지 표면 조사 기술의 단점을 보완할 수 있고, 반응 산물만을 측정하는 것이 아니고 전해질 속의 화학종 및 전극 내에서 확산하는 화학종까지 측정할 수 있는 장점을 가지고 있다. EME는 전극 반응이 일어날 때 반응에 참여하는 화학종들의 농도구배에 의해 전극 부근 전해질의 굴절률이 변화하며, 이때 optical windows를 통해 cell 내에 조사된 probe beam의 편향을 10-9rad. 농도로 환산하면 10-3mol까지도 측정하는데, 여기에 FT-iR 등에서 사용하는 multiplexed source를 excitation light으로 전극 표면에 조사하면 반응에 참여한 화학종까지도 모두 분별할 수 있는 첨단 기술이다. 또한 EME에서는 probe beam과 전극이 직접 접촉하지 않기때문에 전극 반응에 영향을 주지 않으며, 충·방전 cycle 동안 화학종의 확산 현상 및 transient process를 모두 검출할 수 있으므로 이차전지용 전극 활물질의 충·방전 특성 평가에 매우 유용한 기술이라고 할 수 있다.
기판상에 형성된 반경질(半硬質) 또는 경질Sm-Co, 페라이트 등의 자성막을 큐리점Tc(℃)의 0.1~0.95Tc의 온도에 예열한 후, 그 막의 두께 방향에 착자하여, 그후 착자한 부분의 일부 또는 여러 부분을 레이저 또는 전자빔으로 가열소자하여, 이 부분을 가열소자하지 않은 부분의 자계(磁界)를 이용하여 착자하는 것을 특징으로 한 다극착자방법이다.종래와 같이 자기의 폭 마다에 치구(治具)를 바꿀 필요가 없고, 용이하면서도 정밀하게 다극착자(多極着磁)할 수 있는 효과가 있다.
분리처리부는, 비디오 와 오디오의 각부호화를 다중화한 MPEG1시스템스트림을 입력하여 비디오와 오디오의 각각의 초등스트림 ES로 분리하고, 패킷 작성부에서는 MPEG2가 패킷화 된 초등스트림 PES가 각각 작성되고, 마지막으로 다중화 처리부에서 고정장188바이트의 트랜스퍼패킷에 분할한 뒤에 다중화한 MPEG2 트랜스퍼스트림 TS로 변환한다.고가의 전용장치를 구입하지 않고도 고화질의 동화를 취할 수 있게 됨.
기술 내용 - 푸탈로시아닌 금속을 합성하여 NO, NO2, CO, CO2 의 개스를 흡착시켜, 발생되는 기전력을 측정하므로서 개스의 농도를 알아낼 수 있는 기술임. 매우 민감하고 반영구적 개스 센서임.장점 - 열적 안정성이 매우 우수하고, 재현성이 좋아 매우 안정한 기능을 나타냄. 단점 - 고체박막의 제조 및 회로구성에 난이도가 있음. 주요 용도 - 자동차, 실내, 환경오염도 측정용
-이차전지를 포함하여 전기화학적 에너지 생산·저장 시스템의 성능이나 수명을 결정하는 가장 중요한 요인은 전극 표면, 전극/전해질 계면에서 진행되는 산화/환원 반응이라고 할 수 있다. 이들의 연구를 위하여 그동안 ESCA, AES, LEED등 많은 분광학적 표면 조사 기술을 사용하여 위한 노력이 지속되어 왔다. 그러나, 본질적으로 위의 기술들은 모두 ex-situ 기술로서 반응이 완료된 후에 시편을 cell에서 분리하여 분석용 시편 제작 후 측정하기 때문에 분석 시편 제작동안 있을 수 있는 전극의 여러 가지 변화 및 이물질에 의한 오염에 대해서 대책이 부족하며, transient process에 대한 연구가 불가능하다는 단점을 내포하고 있었다. 이들에 비해 최근에 개발된 EME 기술은 고도의 직진성을 갖는 레이저를 probe beam으로 사용하고, 정밀한 레이저 검출기를 사용하여 전기화학 반응이 일어나는 동안 계면반응에 의한 전극의 변화를 in-situ로 측정할 수 있기 때문에 위에서 제시한 여러 가지 표면 조사 기술의 단점을 보완할 수 있고, 반응 산물만을 측정하는 것이 아니고 전해질 속의 화학종 및 전극 내에서 확산하는 화학종까지 측정할 수 있는 장점을 가지고 있다. EME는 전극 반응이 일어날 때 반응에 참여하는 화학종들의 농도구배에 의해 전극 부근 전해질의 굴절률이 변화하며, 이때 optical windows를 통해 cell 내에 조사된 probe beam의 편향을 10-9rad. 농도로 환산하면 10-3mol까지도 측정하는데, 여기에 FT-iR 등에서 사용하는 multiplexed source를 excitation light으로 전극 표면에 조사하면 반응에 참여한 화학종까지도 모두 분별할 수 있는 첨단 기술이다. 또한 EME에서는 probe beam과 전극이 직접 접촉하지 않기때문에 전극 반응에 영향을 주지 않으며, 충·방전 cycle 동안 화학종의 확산 현상 및 transient process를 모두 검출할 수 있으므로 이차전지용 전극 활물질의 충·방전 특성 평가에 매우 유용한 기술이라고 할 수 있다.
최근에는 높은 에너지 밀도와 긴 수명을 갖는 전지를 개발하기 위해 고체 전해질을 사용한 고체전지에 대해 많은 연구가 이루어지고 있다. 고체전지는 기존 액체전해질을 사용하는 전지에 비해 누액의 염려가 없으며 진동 및 충격에 대한 저항성이 높으며, 공해를 일으키지 않는 장점이 있다. 또한 액체전해질을 사용하는 경우 이온전도를 위한 액체전해질과 양극과 음극을 전자전도로부터 격리하는 격리판이 있어야하는데 고체전해질을 사용하는 경우 양극과 음극을 격리하는 동시에 이온을 전달하기 때문에 단층으로 형성을 할 수 있다. 또한 전지 요소가 모두 고체이기 때문에 박막 제조 공정을 이용하여 두께 10μm이하인 박막전지를 제조할 수 있다. 이러한 박막 2차전지는 용량이나 구동전압도 단위전지를 직렬 또는 병렬로 연결하여 다중 셀을 형성할 수 있으므로 반도체 집적 회로, 마이크로 센서, 마이크로 엑츄에이터, 등의 자가전원으로 매우 적합하게 응용될 수 있다. 특히 최근에 자기카드의 발전된 형태인 IC카드에 전원으로 사용할 경우 지시계를 탑제하여 카드 판독기 없이 내용을 볼 수 있는 스마트카드의 실현에 큰 도움을 줄 것이다. 고체 전지에 사용되는 여러가지 고체 전해질 재료 중에서 리튬 이온 전도성 고체 전해질은 리튬의 질량이 낮고, 높은 분해 전압을 갖는 특성때문에 관심이 집중되고 있다. 최근에는 높은 이온전도도와 분해전압, 리튬과 반응하지 않는 화학정 안정성 등, 여러가지 장점을 지닌 Li-P-O-N계 전해질이 개발되어 많은 연구가 이루어지고 있다. 그러나 여러가지 장점에도 불구하고 Li-P-O-N계 박막전해질은 아직까지 체계적인 연구가 이루어지지 않았다. 따라서 본 연구에서는 Li-P-O-N계 박막 고체전해질의 박막 증착 조건에 따른 구조변화가 리튬 이온전도도에 미치는 영향을 고찰하였고, 그 결과를 토대로하여 박막전지에 사용하기에 적합한 전해질의 증착조건과 조성을 확정하여 V2O5양극을 사용하여 Li | LIPON | V2O5 박막전지를 구성하였다. 제작된 박막전지를 사용하여 전지의 성능을 저하하는 요인을 밝히고 이를 개선하여 고성능 박막 2차전지를 개발하였다.
ㅇ탄산염을 이용한 연료 전지 o전해질의 기공 내 함침을 위한 샘플내 기공 부여 ㅇ내열성과 강도 유지ㅇ열효율 높고 무공해
세계적으로 기술적 문제로 인하여 아직까지 고온초전도 S-I-S 접합이 개발되어 있지 않다. 또한 low angle S-N-S biepitaxial 접합을 개발할 필요가 있다. 본 연구는 이러한 문제를 극복할 수 있는 방법을 택하여 새로운 low angle S-N-S접합과 새로운 S-I-S접합개발을 위한 base layer를 제작하였다. 새로운 방법에 의한 low angle biepitaxial 죠셉슨 접합의 제작을 위하여 [001]축이 20o 비스듬이 cut된 STO기판의 반쪽은 CeO2/YSZ 이중 buffer layer가 사용되었다. YBCO박막은 STO위에 직접 성장한 부분은 c축이 20o 기울어져 있고 buffer layer위에서 성장한 부분은 c축에 수직이다. 따라서 전체적 YBCO박막은 20o a축 tilt 혹은 a축 twist biepitaxial 죠셉슨접합을 형성하였다. 또한 S-I-S 접합을 위하여 수백 Å의 gap(D)을 갖는 두 영역의 YBCO가 제작되어야 하는데 이러한 YBCO가 성장할 수 있는 기초 gap을 갖는 base layer를 개발하였다. 이러한 base layer로써 MgO를 경사지게 증착하여 고온 초전도박막을 증착하기 전에 V자 형태의 골을 미리 제작하는 새로운 방법으로 제작한 SNS 죠셉슨 접합의 가능성, 장접과 기초적인 특성을 측정해 보았다. 또다른 방법으로 STO와 MgO 혹은 STO와 YSZ의 열팽창계수의 차이를 이용하여 수백 Å의 gap을 가진 base layer의 제작을 시도하였다.
) 고온초전도 에피택셜 단층(다층)박막의 성장 및 물성분석: - 펄스-레이저 증착법에 의한 고온초전도 YBCO/MgO 에피택셜 박막의 성장(강한 c- 축배향의 에피택셜 박막이며, 20mm X 20mm까지 균일한 박막을 성장함). - 마이크로파 특성이 우수한 접지평면용 이중 금속박막(Ti/Ag)의 증착. 2) 고온초전도 마이크로파 소자의 최적설계 및 구현: - 오픈-스터브선 방식의 고온초전도 다극(3-극, 5-극, 7-극 및 9-극) 저역통과필터의 제조. - 평행결합선 방식의 고온초전도 다극(2-극, 4-극, 6-극) 대역통과필터 제조. 3) 고온초전도 마이크로파 필터의 저온 마이크로파 특정시스템의 구축과 응답특성측정. - 3-성분 시험치구의 설계 및 제작, 저온 마이크로파 측정시스템(HP-8510 + LTS-II) 의 구축(∼50GHz). - 고온초전도 저역통과필터: 삽입손실(1dB이내)/ 고온초전도 대역통과필터: 삽입손실 (0.5dB이내). 극수의 증가에 따라, 저지대역의 스커트 특성이 더욱 가파르게 됨. 4) 고온초전도 마이크로파 소자제조용 각종 장비(실험실용)의 설계/제작. - 고속스핀코터, 접촉정렬기, 베이커, 펄스-레이저 증착용 성장챔버 등.
리튬 이차전지는 에너지 밀도가 높고, 전지 동작 전압이 낮으며, 납이나 카드뮴 등 중금속을 사용하지 않기 때문에 환경 오염 문제가 없어 가장 주목 받고 있는 차세대 전지이다. 리튬 이차전지의 정극 중에 자원이 품부하고 값이 싸다는 장점이 있어 LiMn2O4등이 많이 사용되고 있다. 우수한 LiMn2O4 정극 재료를 개발하기 위하여 열처리 온도와 시간 등을 변화시키면서 그 특성들을 조사한 결과 800℃ 36시간 열처리한 경우, 처번째 싸이클 방전 용량이 120mAh/g이었고, 싸이클이 진행되는 동안 110mAh/g으로 안정되고 충방전 효율도 95%이상으로 우수하여 리튬 이차전지용 정극으로 활용이 가능함을 확인하였다
본 연구에서는 플래쉬 메모리 (flash memory) 카드를 이용하여 intelligent ambulatory monitoring 시스템을 설계하였다. 1961년 Holter에 의해 휴대용 제품이 개발된 이후, 마이크로프로세서와 저장매체의 발달로 기존의 자기테입 저장방식에서 반도체 메모리 저장방식을 채택한 시스템이 출현하였다. 최근에는 PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association) 플래쉬 메모리(flash memory) 카드를 채택한 장비들도 개발되고 있다. 본 연구에서는 고성능의 8비트 원칩 마이크로콘트롤러를 이용하여 전체시스템을 저전력, 소형-경량화 시키고 20M 바이트 용량의 플래쉬 메모리 카드를 이용하여 환자로부터 획득된 데이터 관리에 효율을 높였다. 시스템의 주요사양은 2채널, 0.05-60㎐의 대역폭, CMRR60, 8bit-250㎐ sampling rate, 20M 바이트 저장용량, 24시간 동안 full-disclosure 저장 방식이다. 플래쉬 메모리 카드는 MS-DOS 환경에서 파일형태로 인식이 될 수 있도록 FFS(Flash File System)으로 제어하여 검출된 데이터를 쉽게 일반 PC와 인터페이스되도록 하였다. 또한 단순기록장치 기능 이외에 진단파라미터 검출 알고리즘을 개발하여 post-processing에 이용하였다. 진단 파라미터 검출 알고리즘의 성능을 평가하기 위해 MIT/BIH 데이터베이스를 사용하여 QRS를 검출한 결과, 평균 99.14%를 얻었다.
인터넷 상에서 네티즌들의 profile 데이터를 실시간으로 수집 가공 분석하여 네티즌과 인터넷 사업자에게 정보추천 서비스 및 컨설팅 서비스로 1:1 마케팅을 가능케 하는 기술국내 최초의 profile 분석기술 및 솔루션 독자 개발로 초대형 데이터 실시간 수집, 가공, 분석 기술 보유로 아래 역할수행 가능- web navigation tracking & data processing- web log profile analysis- profile engine customization- prosessed profile information prviding- profile management & recommendation softwere development
본 발명은 여러 위치에 있는 유한개의 카메라로부터 획득한 영상으로부터 각 화소의 깊이 정보를 조밀하게 추출하고, 그를 이용하여 무한개의 중간 영상을 효율적으로 합성하는 방법을 제공하는 것이다.종래의 다기선 스테레오 정합법(Multiple-Baseline Stereo)은 정합의 정확도는 다른 방식에 비해 높지만 계산 시간이 스테레오 쌍의 개수에 비례하여 증가하며, 정합창의 크기를 고정시킴으로써 구한 깊이 맵(depth map)의 경계선 연장 문제(boundary overreach)가 일어나게 되고 이로 인해 합성한 영상의 화질이 저하된다. 본 발명에 의한 다해상도 다기선 스테레오 정합방법은 다기선 스테레오 정합방법을 다해상도 방식으로 구현하여 처리 시간과 깊이 맵에서의 경계선 연장 문제를 개선하고, 다해상도 방식에 있어 이웃 후보 선택 방식을 사용하여 불연속 부분에 대한 정합의 오차를 감소시킴과 동시에, 적응적 폐색(occlusion) 영역 처리 방법을 제공하므로써 임의의 카메라 배치 상황에서도 정합의 오차가 줄어들지 않도록 하였고 폐색 영역을 검출한 뒤 처리하여 정보의 손실을 줄임으로써, 기준영상의 각 화소에 대한 깊이정보를 정밀하게 구할 수 있다.1. 하나의 물체에 대한 다수 카메라로부터의 입력 영상을 다해상도로 분해한 후, 가장 저해상도 영상에 대하여 완전탐색에 의한 다기선 스테레오 정합(MBS) 및 폐색 영역 처리를 수행하여 각 부(父)노드의 깊이 정보를 구하는 제 1단계;상기 제1단계에서 구해진 각 부(父)노드의 깊이 정보가 다음 해상도 단계의 자(子)노드로 전달되고, 상기 전달된 깊이 정보를 기초로 하여 다기선 스테레오 정합 및 폐색영역 처리를 수행하며, 상기 다기선 스테레오 정합과정 도중에 상기 전달된 부노드의 깊이 정보를 확인함으로써, 각 자노드의 깊이 정보를 구하는 제2단계; 및상기 제2단계에서 구하여진 깊이 정보를 이용하여 제2단계에서와 같은 방식으로 최고 해상도까지 계층적으로 진행함으로써 원 해상도 기준 영상의 각 화소의 깊이 정보를 구하는 단계 등으로 이루어지는 조밀한 깊이정보 추출방법.2. 제1항에 있어서, 상기 부(父)노드의 깊이 정보가 자(子)노드로 전달될 때, 부노드외에 부노드에 이웃하는 8개의 이웃노드의 깊이정보도 함께 전달되고, 상기 이웃노드의 깊이정보까지 고려한 다기선 스테레오 정합을 수행하여 정합 수직
본고안은 모터용 절연체에 관한 것으로, 특히 적층된 코어의 슬롯에 삽입되는 단차가 형성된 모터용 절연체에 관한것이다.본고안은 모터용 각 분할핀의 길이를 상이하게 함으로서 절연체를 코어에 용이하게 삽입할 수 있는 효과가 있다.
led외 표시소자를 이용한 문자안내시스템과 티켓발권기등을 공유시켜복잡한 교통망 특히 지하철의 노선을 one touch로 요금,시간,거리,티켓발권, 환승역,필요한 항목의 프린터등의 안내와 정보를 제공하는시스템.16마이크로시스템과 컴퓨터시스템의 결합과 표시소자(led외)로 디자인하고 문자표시소자를 이용 안내문구와 그래픽을 더하여 이용자의 편리성과 빠른 이동을 제공하여줌은물론 온라인으로 사고지점을 최초발견자의 입력으로 교통망흐름도를 안내 해줌으로서 이용자의 편리를 최대한 활용할 수 있는 시스템.
본 고안은 개폐수단을 구비하여 동작이 제어되는 비접촉카드에 관한 것으로 사용하고자 하는 카드를 온시키고 사용을 원치않는 카드는 오프시켜놓고 사용함으로서 사용자가 비접촉카드의 단말기를 통과할 때마다 사용하고자 하는 카드를 꺼내든지 혹은 원하지 않는 카드를 단말기의 영향권 밖에 위치시킬 필요가 없게 되어 카드가 이중으로 거래되는 것을 방지하기 위한 사용자의 불편함이 해소되게 된다정보를 저장하는 정보저장부; 상기 정보를 외부장치와 무선신호로 송수신하는 송수신부; 및 상기 무선신호의 송수신여부를 결정하는 제어부를 포함하는 것을 특징으로 한다
10Gbps long haul transmission (200-500km); 10Gbps long reach transmission (80-125km); 40Gbps short reach transmission; 40Gbps reception; Optical TDM.-
Intelligent ultra-high capacity photonic transmission단일 광섬유를 통해 초당 40기가비트를 전달하고 총체적으로는 수 테라비트의 용량을 전달할수 있는 기술