일반기술
화학공정 > 기타 화학공정
해당 기술은 시안화수소 휘발 및 흡수와 잔류 불순물의 산화를 포함합니다- 황산에 의한 유출된 습식 제련 용액의 산성화- 경사형 로터 머신에서 (IRM) HCN 휘발 - 수평식 충전탑(제트 스크러버) 또는 IRM에서 알칼리 용액을 사용한 시안화수소 흡수 - 산성화된 용액으로부터 침전된 중금속 분리 (AVR 프로세스 산성화 휘발 재중화).시안염을 HCN의 형태 및 중금속을 복합 화합물 형태의 침전물로 추출하게 되며 차아염소산칼륨 또는 과산화수소에 의한 산화제를 이용하여 폐수의 사후 처리를 합니다.□ 기술의 평가 및 이익금광의 습식 제련 처리에서 나오는 폐수는 보통 활성 염소 시약에 의한 산화로 중화시킵니다. 그러나, 이 방법은 높은 소금 함량 및 산화물을 소모하게 되며, 복잡한 청산염(시안)의 불완전 분해의 위험이 있고 가치 있는 구성 요소를 추출할 수 없는 등의 단점이 있습니다.제안한 기술은 다음 목적을 위하여 재생 및 파괴 방법을 결합한 것입니다.(i) 시안화수소 휘발, 시안화수소 흡수, 잔류 불순물 산화(ii) 알칼리 용액인 시안화나트륨의 형태로 정화된 물과 청산염(시안)을 재활용하는 방법 제공산화물을 상당히(반으로) 줄여 중화가 가능합니다.
- 보유기관
- 중소기업진흥공단
- 등록일
- 2009-03-11
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해당 기술은 산화티타늄을 활성층으로 갖는 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 박막트랜지스터에 관한 것으로, 전구체로서 티타늄(Ti)을 포함한 유기화합물을 화학기상증착법(CVD), 유기금속화학기상증착법(MOCVD), 원자층증착법(ALD), 저기압화학기상증착법(LPCVD), 및 플라즈마 화학기상증착법(PECVD) 등을 이용하여 기판상의 활성층 위에 절연막으로서 증착함으로써 투명한 박막 트랜지스터를 제조하는 기술이다.투명 박막 트랜지스터 기술 분야에 있어서 옥사이드 트랜지스터는 ZnO를 적용하여 연구개발이 이루어져 왔으나, 양산 신뢰성이 아직 확보되지 않았으며 주요 핵심특허를 일본, 미국에서 보유하고 있어, 양산시 로얄티를 지급해야하는 문제가 있으나, TiOx 를 박막 트랜지스터에 적용하는 방법은 본 기술이 최초라는 점에서 의미가 크며, 양산성이 검증된 MOCVD 장비로 성능 개선이 이루어지는 경우 파급효과가 클 것으로 기대된다.<적용분야>투명 디스플레이, 휘어지는 디스플레이, AMOLED(능동형 유리 발광 다이오드), 자동차 등의 투명 열선, 투명 플래시메모리
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 등록일
- 2009-04-16
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해당 기술은 전현입경이 단경 0.2-0.3㎛, 장경 1.0±0.2㎛이고 방추형인 내전 지용 탄산칼슘의 제조 방법에 관한 것이다.샌드밀 처리한 석회유에 탄산가스를 도입하여 0.04㎛의 교질 탄산칼슘함유 현탄액을 제조하고, 미리 NH4Cl을 0.01-0.20 mol/Ca(OH)2 mol 첨가한 별도의 샌드밀처리 석회유를 상기 현탁액에 10-30mol/CaCO3 mol 로 첨가한 후 탄산가스를 도입함으로써 상기 내전지용 탄산칼슘을 제조할 수 있다.
- 보유기관
- (재)광주테크노파크
- 등록일
- 2009-04-28
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□ 기술개요□ 목적 및 개요 해당 기술은 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서 및 그 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 하부 Si/SiO2층에 기준 전극과 검출 전극이 형성된 MEMS pH센서에 대하여, 상부 Si/SiO2층 하면에 실크프린팅을 이용하여 Ag/AgCl 전극을 형성하고 이들을 양극산화공정에 의해 접합함으로써, 기존의 박막전극 두께의 10∼20배의 두께를 지니므로 KCl 용액중의 Ag가 용출되는 것에 대한 저항시간이 길어져 염화칼륨(KCl)과의 반응에 의한 Ag의 용출을 최소한으로 억제할 수 있게 되어, 결국 pH센서의 수명을 연장시키고 측정의 안정도를 높일 수 있는 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서 및 그 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법에 관한 것이다. □ 구조 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서는 하부 Si/SiO2층에 기준 전극과 검출 전극이 형성된 MEMS pH센서에 있어서, 상부 Si/SiO2층 하면에 실크프린팅으로 형성된 Ag 후막층과, 상기 Ag 후막층을 덮는 AgCl층으로 이루어진 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 포함하고, 양극산화공정에 의해 상기 상·하부 Si/SiO2층을 접합함으로써 구성되며, 실리콘웨이퍼 상에서 실크프린팅하여 한 쌍의 Ag 후막을 얻는 단계; 상기 한 쌍의 Ag 후막의 용제를 휘발시킨 후 열처리하여 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 얻는 단계; 상기 경화된 한 쌍의 Ag 후막층을 전기분해하여 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 형성하는 단계; 및 MEMS pH센서의 기준 전극과 검출 전극 상면에 상기 Ag/AgCl 전극 각각을 정렬하여 피복한 후, 양극산화공정을 통하여 상하 실리콘웨이퍼를 부착하는 단계에 의해 제조된다. □ 종래 기술의 문제점 일반적으로 용액의 산성·염기성 여부는 용액중의 수소이온농도를 측정함으로써 평가하게 되는데, 이를 위하여 일반적으로 유리전극을 이용한 pH센서를 용액 중에 담궈 얻어지는 전위차를 이용하여 측정하는 방법이 이용되어 왔다. 그러나, 이때 사용되는 유리전극은 크기가 크며 깨지기 쉽고 특히 장시간 사용하는 경우 용액과 전극의 소모로 인하여 검출특성이 변화하는 문제점을 지니고 있다. 이러한 기존의 유리전극을 대체하기 위하여 기존의 유리전극의 특성을 동일하게 구현하고 초소형 구조가 가능한 MEMS 공정을 이용한 pH센서가 개발되어 왔으며, Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서가 이용되어 왔다. 이러한 초소형 MEMS pH센서는 그 크기가 수십 ㎛ 정도이므로, pH 검출을 위하여 사용되는 전극의 구조가 박막의 형태를 지닌다. 그러나 최대 박막두께는 대체적으로 수 ㎛ 정도로 제한되는데, 이를 초과하는 박막의 경우 균일도 및 막의 치밀도가 떨어지므로 요구되는 박막의 성질을 지니기 어렵게 되는 문제점이 야기되기 때문이다. 이렇게 얻어진 박막전극은 측정을 위하여 KCl용액과 접촉하게 되는데 이 과정에서 KCl용액과 Ag전극과의 상호작용으로 Ag성분이 KCl로 용해되는 현상이 발생하게 된다. 이러한 반응은 결과적으로 전극의 소모 및 액간 접촉전위를 이루고 있는 KCl의 농도 변화를 일으키므로, 측정 안정도를 떨어뜨리고 수명을 단축시키는 문제점을 갖는다. □ 효과 본 기술은 Ag/AgCl 전극구조를 갖는 MEMS pH센서 및 그 전극구조를 갖는 MEMS pH센서의 형성방법은, 기준전극과 검출전극이 형성된 하부 Si/SiO2층에, 하면에 실크프린팅으로 형성된 Ag 후막층과, 상기 Ag 후막층을 덮는 AgCl층으로 이루어진 한 쌍의 Ag/AgCl 전극을 포함하는 상부 Si/SiO2층을 접합하여 사용함으로써, 초소형 MEMS pH센서의 전극부의 Ag가 KCl 용액 중에 용출되는 문제점을 해결함에 따라 그 센서의 사용수명을 연장시키고 측정의 안정도를 향상시킬 수 있게 된다.
- 보유기관
- 포항산업과학연구원
- 등록일
- 2009-05-07
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□ 기술개요 해당 기술은 내부에 공간을 갖는 본체와 연통 가능하게 다수의 연결구가 형성된 매니폴드에 대하여, 일측이 개구된 통형상의 시험조가 클램프를 매개로 착탈 가능하게 설치되고, 상기 다수의 연결구 중 하나는 황화수소가스 공급원 및 질소가스 공급원에 연통 가능하게 연결되어, 상기 시험조내부에 압축가스가 저장되고, 상기 매니폴드 상에는 시험편이 하방향으로 힘을 받도록 지지되는 지그블록이 탑재되며, 상기 매니폴드 및 이 매니폴드의 연결구들을 포함한 연결고정부위가 상기 본체에 직통 가능하게 연결되어, 상기 연결고정부위에서의 가스 누설 시, 주변 환경으로 확산 누설되는 것을 저지하도록 구성된 다점굽힘 황화물 응력 부식 균열 시험기를 제공하여, 점 굽힘 황화물 응력 부식 균열 시험 시, 시험편의 파손 여부를 챔버의 개방없이 외부에서 확인할 수 있을 뿐만 아니라, 본체 내에 진공을 형성하고 각종 가스 연결구들을 본체와 직통하도록 연결함으로써 유독성 가스인 황화 수소의 누출을 원천적으로 차단한 보다 안전한 시험조건을 도모할 수 있도록 하였다. □ 기술의 특징 내부에 공간을 갖는 본체(21)와 연통 가능하게 다수의 연결구(39)가 형성된 매니폴드(31)에 대하여, 일측이 개구된 통형상의 시험조(33)가 클램프(37)를 매개로 착탈 가능하게 설치되고,상기 다수의 연결구(39)중 하나는 황화수소가스 공급원(11)및 질소가스 공급원(12)에 연통 가능하게 연결되어, 상기 시험조(33)내부에 압축가스가 저장되도록 하고,상기 매니폴드(31) 상에는 중앙지지대(64)를 매개로 시험편(62)을 하방향으로 가압하기 위한 하중인가용 볼트(63)가 체결되는 지그블록(61)이 탑재되며,상기 매니폴드(31) 및 이 매니폴드(31)의 연결구(39)들을 포함한 연결고정부위가 상기 본체(21)에 직통 가능하게 연결되고,상기 본체(21)의 내부는 터보팬(4)과 스크러버(5)에 의해 항상 진공 및 정화가 유지되도록 연통 연결된 것을 특징으로 하는 다점굽힘 황화물 응력 부식 균열 시험기.
- 보유기관
- 부산기술이전센터
- 등록일
- 2009-06-19
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□ 기술개요해당 기술은 면압 제어 오스템퍼링 열처리 방법에 관한 것으로, 이를 위한 열처리 방법은, 피처리물의 소재 및 크기에 따라 가열온도 및 가열시간을 결정하는 가열준비단계와; 진공의 가열실 내부에 침탄성분위기를 조성하여 상기 피처리물을 가열하는 가열단계와; 상기 가열된 피처리물을 냉각실로 이동시키는 피처리물 이동단계와; 상기 피처리물의 소재 및 크기에 따라 열처리 요구 특성에 맞는 연속냉각곡선을 결정하는 냉각 준비단계와; 상기 연속냉각곡선의 특성에 따라 냉각실의 압력과 교반속도를 제어하여 상기 피처리물을 염욕조 내에서 균일 냉각하는 염욕 냉각단계와; 상기 염욕조에서 냉각된 피처리물을 들어 올려 염욕 분위기에서 가스로 균일냉각하는 가스 냉각단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.상기한 방법에 따라, 피처리 물의 냉각시 냉각실의 압력 변화를 통해 제품이 염내에서 형성되는 기포발생단계를 부위별로 차이가 없이 만들어 제품의 균일냉각을 시킴으로, 열처리 중 발생되는 변형 제어 및 크랙발생을 방지하는 효과가 있고, 또한 상기와 같이 피처리물의 열 변형을 최소화함으로써, 열 변형에 따른 후처리공정절감 및 이로 인한 금형제작 및 제반 비용을 절감하는 효과가 있다.□ 기술의 특징강종으로 이루어진 피처리물을 오스테나이트의 상태로 가열하고 급냉한 이 후에 그 온도에서 변태 및 냉각시켜 필요한 조직을 얻는 오스템퍼링 열처리 방법에 있어서,진공펌프(P)에 의해 가열실(10)을 진공상태로 유지하고, 피처리물의 소재 및 크기에 따라 가열온도 및 가열시간을 결정하는 가열준비단계(S10)와|진공의 가열실(10) 내부에 침탄성분위기를 조성하여 상기 피처리물을 가열하는 가열단계(S20)와|상기 가열된 피처리물을 냉각실(20)로 이동시키는 피처리물 이동단계(S30)와|상기 피처리물의 소재 및 크기에 따라 열처리 요구 특성에 맞는 연속냉각곡선을 결정하는 냉각 준비단계(S40)와|상기 연속냉각곡선의 특성에 따라 냉각실(20)의 압력과 교반속도를 제어하여 상기 피처리물을 염욕조(25) 내에서 균일 냉각하는 염욕 냉각단계(S50)와|상기 염욕조(25)에서 냉각된 피처리물을 들어 올려 염욕 분위기에서 가스로 균일 냉각하는 가스 냉각단계(S60)를 포함하는 것을 특징으로 하는 면압 제어 오스템퍼링 열처리 방법.
- 보유기관
- 부산기술이전센터
- 등록일
- 2009-06-19
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