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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

중공축형 모터를 이용한 회전아크 발생장치

본 발명은 아크센서로서 성능이 우수한 회전아크를 이용한 아크센서를 개발하기 위한 아크회전장치를 구성함에 있어서 중공축형 모터와 모터축을 대신하는 와이어가이드, 편심된 전극팁을 이용하여 일정한 아크회전반경과 회전수를 가지면서 구조적으로 간단한 형태를 가지는 회전아크발생장치에 관한 것이다. 용접 토치의 용접 노즐 안에 장착된 중공축형 모터 내부를 통과하는 용접와이어가 모터축과 함께 회전하는 전극팁에서 편심되어 일정한 반경을 가지는 회전아크를 일으키고, 근접센서를 이용하여 일정한 회전수를 가지는 회전아크를 일으킬 수 있으며, 하나의 용접 노즐 안에 장착되면서도 모터의 크기에 따라 구조의 크기를 최소화할 수 있어 아크센서로서의 성능이 우수하면서도 간단한 구조를 가져 용접 품질을 향상시키면서 복잡한 구조의 용접대상에도 적용을 가능하게 한다.

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한국과학기술원
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2000-04-09
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일반기술 전기·전자 > 영상·음향기기

이동음원의 홀로그램을 측정하여 음향특성을 영상화하는 시스템 및 방법

이 발명은 적은 수의 마이크로폰만으로 짧은 시간내에 고밀도의 측정점들에서의 음압을 측정하여 정확도가 높은 홀로그램을 얻고 이동하는 음원에 대해서도 정확한 홀로그램을 얻게 하기 위해, 상기 음원이 상기 공간속에서 이동하는 방향과 속도를 측정하기 위한 두 개의 광전감지기와, 상기 공간속을 이동하면서 상기 음원으로부터 방사되는 음압을 수용해서 상기 음압을 나타내는 전기신호들을 발생시키는 마이크로폰어레이와 상기 마이크로폰어레이의 이동방향 및 이동속도와 상기 마이크로폰 어레이로부터 발생되는 상기 전기신호 및 상기 광전감지기들로부터 입력되는 상기 음원의 이동방향 및 이동속도를 나타내는 출력을 발생시키는 멀티플렉서(multiplexer) 및, 상기 멀티플렉서로부터 출력된 상기 홀로그램면에서의 측정음압치로부터 출력된 상기 홀로그램면에서의 측정 음압치로부터 음장 내에서의 음압예측치를 연산하는 퍼스널컴퓨터를 포함하는 영상화 시스템을 제공한다.

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한국과학기술원
등록일
2000-04-09
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

신규한 유량측정장치 및 측정방법

본 발명은 유량을 측정하는 장치에 관한 것이다. 유체가 유동하는 관(pipe) 표면에 본 장치를 부착하여 유량을 측정한다. 본 장치는 장착위치 및 측정위치의 변동이 자유로우며, 관의 형상 및 유체의 흐름을 변화를 주지 않는다. 본 장치는 파장이 긴 탄성파를 이용하므로 관 내부의 평균유량을 측정한다.파장이 긴 탄성파를 유량측정에 도입하여, 비파괴 검사 및, 평균유량의 측정을 가능하게 하였다.

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한국과학기술원
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2000-04-09
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일반기술 환경 > 폐기물관리·재활용 (F35, N33, Q64)

붕산분리용 음이온 교환막 추출기

여기 제시된 발명은 가압경수로에서 발생되는 방사성 폐액을 증발을 통해 농축시키고 이로부터 붕산을 분리해 낼 수 있도록 하는 장치인 붕산 분리를 위한 음이온 교환막 추출기 및 추출기를 이용하여 방사성 폐액으로부터 붕산을 분리해내는 방법이다. 붕산 추출을 위한 이온교환막의 구성은 다음과 같다. 상부 Cell은 입구(inlet)와 출구(outlet), 그리고 유동주입구(fluid-injecting holes)로 구성되어 있다. 농축(concentrate) cell, 추출(extract) cell, 하부 cell 각각은 입구와 출구, 유동주입구로 구성되어 있으며 상부층(upper layer)에 지지선반(supporting shelf)이 있다.concentrate와 extract에서 누수 되는 것을 막기 위한 방수장치는 앞서 말한 cell들 사이의 interface에 들어간다.수송관은 cell 사이의 concentrate와 extract 사이의 수송을 위해 앞에서 언급된 입구와 출구사이에 연결되어 있다. 지지선반 위에 지지되고 있는 지지판(supporting screen)은 앞선 말한 cell들의 각각에 위치해 있으며 음이온 막을 잡아주고 있다. 그리고 음이온 교환막은 앞서 언급된 지지판에 의해 지지되고 있다.추출기는 작동을 위해 막사이에 전기적 포텐셜을 가해주지 않아도 된다.고 효율의 방사성폐액의 부피 감소를 이룰수 있다.유지, 운영비를 크게 절감할수 있다

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한국과학기술원
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2000-04-09
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일반기술 농림·수산 > 기타 가공 기술

압력조절에 의한 염장식품의 제조방법

본 발명은 압력조절에 의하여 염장식품을 제조하는 방법에 관한 것이다. 좀 더 구체적으로, 본 발명은 건조된 야채류를 된장 및 고추장 등의 장류와 혼합하고 가압 및 감압하는 과정을 반복하여 단시간에 고품질의 염장식품을 제조할 수 있는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 염장식품 제조방법은 야채류를 세척하고 건조시키는 공정; 전기 공정에서 수득한 건조된 야채류를 장류와 혼합하는 공정; 및, 전기 공정에서 수득한 혼합된 야채류를 3 내지 10기압으로 가압하여 2내지 6시간 동안 유지 시키고 대기압으로 감압하여 1 내지 3시간 동안 유지시키는 조작을 2 내지 8일간 반복하여 숙성시키는 공정을 포함하며, 본 발명의 제조방법에 의해 다양한 야채류를 사용하여 꼬들꼬들한 조직감을 지닌 고영양 및 고품질의 염장삭품을 단시간에 경제적으로 제조할 수 있다는 것이 확인 되었다. 염장기간 3∼7일로 대폭단축(기존 2∼3개월)조직감이 우수한 고품질의 염장식품을 제조 염장식품의 제조단가 가 염가.

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한국과학기술원
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2000-04-09
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

방향족 디아민으로부터의 시클로 지방족 디아민의 제조 방법

폴리우레탄은 카바메이트기(-NHCOO-)를 가지고 있는 고분자 물질로 디이소시아네이트와 에틸렌글리콜과 같은 폴리올을 반응시켜 제조된다. 이 폴리우레탄의 물성은 사용하는 원료나 제조 방법에 따라 달라지는데, 특히 디이소시아네이트의 원료로 사용되는 디아민의 구조가 큰 영향을 미칠 수 있다. 방향족 디아민으로부터 제조된 우레탄의 경우 빛이나 공기와의 접촉을 통해 천천히 산화되면서 변색되므로 우레탄의 용도를 제한하는 원인이 된다. 그러나, 시클로 지방족 디아민에서 제조된 우레탄의 경우, 빛, 공기에 안정할 뿐만 아니라 구조적으로 방향족보다 유연해 방향족 디아민으로부터 제조된 우레탄에서는 볼 수 없는 좋은 물성을 가질 수 있다.본 발명은 루테늄 촉매의 존재 하에서 방향족 디아민을 수소화시켜 시클로 지방족 디아민을 제조하는 방법에 관한 것으로, 촉매 첨가제로 금속 아질산염(metal nitrite: MNO2)을 사용하는 것을 특징으로 한다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-04-09
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

독립 프로그래밍 가능한 2자유도 추가운동 모듈 및 그를 장착한 가공

가공 공구의 축을 가공대상물의 단방향(이하 y방향이라 함)으로 직선왕복운동 하게 하는 y축 리니어모터 유니트와, 상기y축 리니어모터 유니트를 탑재하여 y축 리니어모터 유니트를 상기 y방향에 수직인 방향(이하 x방향이라 함)으로 직선왕복시키는 x축 리니어모터 유니트로 이루어지는 2 자유도 추가운동모듈이 상기 로봇 단부에 장착되고, 상기 x축 리니어모터유니트 및 y축 리니어모터 유니트의 운동을 제어하는 2 자유도 제어수단에 의하여 로봇과는 독립적으로 프로그래밍 됨으로써, 연마 또는 절삭형태에 따라서 적절한 가공패턴으로 연마 또는 절삭가공만을 수행하고, 로봇은 가공 위치로 추가운동모듈을 이동시키는 기능만 담당하므로써, 연마 또는 절삭능률을 향상시키고, 로봇의 잦은 자세변화에 소요되던 가공시간을 단축시킬 수 있는 장치를 제공한다.본 발명에 의한 2자유도 추가운동모듈을 로봇에 부착하므로써, 실제 연마나 절삭과 같은 가공시의 가공능률이나 표면품질은 추가운동모듈이 전적으로 책임지고, 로봇은 단지 가공 공구를 장착한 추가운동모듈을 가공이 필요한 위치로 이송시켜주기만 함으로써, 로봇의 작업부담을 줄이고 가공시간을 단축시킬 수 있다.

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한국과학기술연구원
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2000-04-09
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일반기술 화학공정 > 기타 화학공정

광학적으로 순수한 C2-대칭성 테트라히드로 4,4'-비옥사졸린 및 이들의 제조방법

본 발명은 일반식(Ⅰ)로 표시되는 비옥사졸린 화합물 및 이들 유도체의 제조방법에 관한 것으로 본 발명 화합물은 Rh,Ir,Cu 또는 Pd 등의 금속을 이용한비대칭 촉매반응의 리간드로 유용하게 사용할 수 있다. 본 발명의 제조방법은 일반식( II)의 디아민 화합물과 일반식(Ⅲ)의 카르보닐할라이드 화합물을 염기와 용매존재하에 반응시켜 일반식(Ⅳ)의 디아마이드화합물을 제조하는 제 1 공정과 일반식(Ⅳ)의 디아마이드 화합물을 용매와 촉매존재하에 반응시켜 일반식(Ⅴ)의 디올 화합물을 제조하는 제 2 공정 및 일반식(Ⅴ)의 디올 화합물을 아민과 용매하에서 메탄술포닐클로라이드, 파라-톨루엔 술포닐클로라이드 등과 반응시켜 일반식(Ⅰ)의 비옥사졸린 화합물을 제조하는 3 공정으로 이루어진 제조방법이다.

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한국과학기술연구원
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2000-04-09
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일반기술 재료 > 기타 고분자재료

벤족사졸 발색단을 갖는 2차 비선형 광학 폴리이미드

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 2차 비선형 광학 폴리이미드 및 이를 사용하여 제조되는 비선형 광학 재료에 관한것이다. 본 발명의 2차 비선형 광학 폴리이미드 화합물은 높은 내열성, 높은 유리 전이 온도, 및 유기 용매에 대한 우수한 용해성을 갖고 있을 뿐만 아니라, 전기 광학 계수의 열안정성이 우수하다.본 발명에서는 비스아미노페놀, 예를 들면 3,3-디히드록시벤지딘 또는 2,2-비스(3-아미노-4-히드록시페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판 (6FBAH)과 이무수화물, 예를 들면 피로멜리트산 이무수화물 (PMDA) 또는 4,4'-(헥사플루오로이소프로필리덴)-디프탈산 이무수화물 (6FDA)로부터 히드록시기 함유 폴리이미드를 합성한 후, 그 생성물을 벤족사졸계 발색단과반응시켜 2차 비선형 광학 폴리이미드를 합성하였다.

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한국과학기술연구원
등록일
2000-04-09
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일반기술 전기·전자 > 기타 반도체

Flip chip 반도체 패키지 공정기술

반도체 패키지는 소자가 집적된 chip을 module에 연결하여 반도체제품을 최종구성하는 공정이다. 이러한 과정중 chip을 module에 연결하는 부분은 반도체패키지기술 중 가장 관건이 되는 공정으로써 이에 대한 많은 연구가 진행되어 왔다. 지금까지의 방법은 chip주위에 pad를 구성하여 wire로 연결하는 형태가 주로 채택되고 있다. 그러나 소자 집적도의 향상과 더불어 입출력 단자수의 급격한 증가는 새로운 형태의 연결방법으로써 chip과 module을 solder로 연결하는 flip chip 공정의 필요성을 제기하게 되었다. Flip chip 기술은 chip전면에 solder bump를 형성시켜 pad간 간격을 넓힐 수 있게 설계하여 가능한 pad의 수를 늘리는 것이다. 그러나 이 경우 solder와 Al metal pad사이의 degradation이 발생하므로 이를 개선하기 위하여 Al 층위에 Ni/Au의 bump층을 형성시킨다. 이 공정은 무전해도금기술로 이루어지며 특히 wafer전면에 균일한 Ni도금면이 형성될 수 있도록 Ni-P와 Ni-B 도금액을 통한 연구가 필요하다. 이를 위하여 도금액의 교반기능을 포함한 제반특성을 분석하여 최적의 조건을 설정한다. 이 연구는 집적도와 입출력단자수가 증가하는 반도체패키지 연구에 있어서 필수적인 공정으로 이를 통한 산업적 응용은 컴퓨터를 포함하여 자동차, 시계, 군수, 항공산업 전반에 걸쳐 개발, 이용될 수 있다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

국부 파괴인성 측정기법

재료의 사용환경이 점점 가혹해짐에 따라 재료의 파괴인성값의 국부적인 변화를 평가할 수 있는 시험법의 개발을 필요로 하고 있다. 특히, in-service 상태에 있는 설비나 미세조직이 급변하는 용접부에서의 파괴인성값을 측정할 필요성과 맞물려 그 중요성이 점점 증가하는 상태이다. 국부 파괴인성을 측정하기 위한 방법으로는 CTOD 시험법, 연속압입 시험법, 소형펀치 시험법, cantilever beam bending 시험법 등이 있다. CTOD 시험법은 미세조직이 급변하는 용접 열영향부의 인성평가에 부위별 결함 도입이 용이해 ASTM 과 BS 규격에 의거, 널리 사용되어 왔다. 하지만, 이들 규격은 일반 균질재를 위해 정해진 규격이므로 용접부가 가진 독특한 역학적 성질들을 무시하고 있다는 단점이 있다. 이에 본 연구에서는 정확한 인성평가를 위한 용접에 의한 두께에 따른 잔류응력과, 용착 금속과 모재의 서로 다른 강도에 따른 강도적 불균질 개념을 적용한 CTOD 시험을 도입하고자 한다. 연속압입시험법은 시험방법이 간단하면서도, 하중-변위 곡선을 해석하여 재료의 여러 가지 기계적 성질을 평가할 수 있는 시험법으로, 국부영역에서의 물성을 비파괴적으로 측정할 수 있다. 따라서 용접부와 같이 기계적 성질이 급변하는 부분에서의 파괴인성을 평가하는데 적합하며, in-service 상태의 원자력 발전소나 화력 발전소 설비의 경년열화에 대한 신뢰성 평가가 가능하다. 소형펀치 시험법은 시험에 필요한 시편의 크기가 작아서 국부적인 파괴인성을 구하는 방법으로 널리 이용되고 있다. 소형펀치 시험을 통하여 재료의 하중-변위 곡선을 얻을 수 있고, 시험다이의 형상과 하중-변위 곡선으로부터 구한 소형펀치에너지와 유효변형율을 이용하여 연성-취성 천이 온도와 파괴인성값(JIc)을 얻을 수 있게 된다. 제조기술로서는 성숙단계에 접어든 반도체 공정 기술과 회로 기술을 이용하여 마이크로미터 크기의 dimension을 가지는 MEMS (Micro-Electro-Mechanical System)의 개발에서 중요시 되는 미세박막 구조물의 반복사용에 대한 내성의 평가기술의 하나로서 박막을 cantilever 모형으로 제작해서 그것의 피로특성, 파괴특성에 대한 정량화 요구가 되어지고 있다.

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한국생산기술연구원
등록일
2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

음향공진법을 이용한 탄성계수 측정 및 응용

음향공진법 (sonic resonance method) 을 이용하여 탄성계수를 측정하는 방법 및 장치를 간단하게 소개하였고, 이 방법을 이용하여 금속의 냉간가공과 어닐링에 의한 탄성계수의 변화, 소성가공 등에 의한 texture에 의한 탄성계수 변화 등을 비파괴적으로 측정할 수 있다. 그리고 단순한 beam vibration theory와 이층복합재료모델을 조합하여 일반적으로 측정이 까다로운 박막의 탄성계수를 측정하는데 사용될 수 있다. 더욱이 최근에 여러 가지 방법으로 제조되고 있는 복합재료의 탄성계수측정에도 매우 유용하다. 음향공진법을 이용하면 시편을 노내에 위치시켜, 상온뿐만 아니라 고온 및 저온에서도 탄성계수 측정이 가능하고, 측정시스템을 약간만 변경하면 재료들의 감쇄능(내부저항) 측정도 가능하다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 계측기기

SOD소자용 다이아몬드 박막의 응력 측정 및 응용

SOD(Silicon on Diamond)소자란 SOI(Silicon on Insulator)소자에서 출발된 개념의 소자형태이다. SOI는 기존의 MOS 소자와는 달리 절연체위에 소자가 존재하여 소자내 절연특성을 향상시켜, 소자사이의 간격을 좁힙으로서 고밀도, 고성능 반도체소자의 개발에 중요한 역할을 하고 있다. 실재로 최근에 개발된 16M DRAM등의 반도체들이 SOI를 이용하여 개발되고 있다. 일반적으로 SOI소자의 경우 절연체로 SiO2등의 산화물을 사용하고 있다. 그러나 절연체로 사용되는 산화물의 열발산에 한계가 있어서 소자의 고밀도화, 고성능화에 장애가 되고 있다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 절연체로 다이아몬드를 사용하는 것이 바로 SOD이다. 다이아몬드는 열전도성이 은이나 구리등의 금속보다 뛰어날뿐만 아니라 현재 존재하고 있는 재료중 가장 높은 범위의 저항값을 가지는 재료로, 고성능화에 따른 열발생이나 전기절연의 문제를 해결할 수 있는 가장 촉망받는 소자이다. 박막에 발생하는 응력은 기판을 변형시켜 곡률을 발생시키고, 박막자체의 파괴를 유발시킨다. 특히 박막다층화되는 경우 복잡한 경향의 응력이 발생하여 전기적 특성이나 기계적 특성에 영향을 줌으로써 원래 의도하던 성질을 왜곡시키는 역할을 하게된다. 전도성 박막의 경우 금속에서 발생되는 electromigration 현상에 의해 void를 형성시켜 전도성질을 감소시키거나 기계적인 파괴가 발생된다. 특히 박막의 공정이 고온, 장시간이거나, 다층의 박막이 필요한 경우 박막에 발새되는 응력을 해석하지 않으면 소자의 제조과정에서 치명적인 오류가 발생된다. 따라서 모든 소자의 개발에 있어서 박막의 응력해석이 수반되어야, 원하는 성질과 성능을 얻을 수 있다. 박막의 응력을 해석하기 위해서는 박막의 응력을 측정해야한다. 일반적으로 박막의 응력은 기판에 발생되는 곡률을 이용하거나, 박막이 금속이 아닌 경우 Raman Spectroscopy의 Peak의 이동을 이용하기도 한다. 또, 응력에 의해 발생되는 격자내 격자상수의 변화를 XRD 방법으로 측정하여 응력을 측정하기도한다다이아몬드 박막의 경우 고온, 장시간의 증착조건과 큰 값의 탄성계수로 인해 발생하는 응력의 양이 다른 박막에 비해 상대적으로 크다. 따라서, 박막에 발생되는 응력을 측정하고, 해석함으로써 박막에 발생되는 응력을 완화시키는 것이 SOD소자의 개발에서 중요한 문제점으로 떠오르고 있다. 박막내 응력의 제어는 최적 조건의 응력상태를 만들어 이후 소자의 제조공정이나, 소자의 특성을 향상시키는 중요한 의미를 가지고 있다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

멜트내의 온도 및 농도 계측에 의한 단결정의 농도 편차 예측

법을 사용한 실리콘 단결정 성장 과정에서 행해진 실험을 통해서 성장하는 결정내의 불순물 분포가 멜트내에서 일어나는 유동 현상이나 온도 또는 농도의 변동에 영향을 받는다는 것이 밝혀졌다. 즉, 멜트의 온도 변동과 동일한 성질의 농도 변동이 성장된 결정 내부에 존재하는 것이다. 따라서 멜트내의 온도나 농도 등을 측정함으로써 성장하는 결정의 품질을 예측할 수 있다. 이 때 중요한 것은 결정내의 변동과 큰 상관 계수를 가지면서도 센서가 위치해도 결정 성장 과정에 큰 영향을 주지 않는 위치를 찾는 일이다. 최적의 측정 위치는 실제 시스템에 대한 시행 착오적인 실험에 의하거나 수치해석과 모델 실험을 통해서 결정할 수 있다. 이 기술은 실리콘 단결정 성장 뿐만 아니라 고품질의 단결정이 요구되는 각종 반도체 빛 산화물재료의 단결정 성장 공정, 금속의 주조 공정 등에 적용될 수 있다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

알루미나 세라믹스의 피로 및 파괴 거동

기계·구조용 소재로 사용되는 대표적인 세라믹스인 알루미나의 피로 수명을 예측하기 위해서 정적 피로와 반복 피로에 관하여 연구하였다. 반복 피로 실험에 의한 균열 성장 지수 예측에는 등가 정적 응력 모델이 가장 적합한 것으로 나타났다. 정적 및 반복 피로 수명을 예측하고 반복 피로 거동을 분석 거동을 관찰하기 위해서, 파괴가 일어나기 이전에서의 피로에 의한 강도 열화(strength degradation)에 대해서 고찰하였다. 시편 인가 응력을 고정하고 피로 시험 시간을 변화시켜가며 정적·반복 피로 시험을 한 후 시편의 꺾임강도를 측정하여 강도 열화를 관찰하였고, 또 피로 시험 시간을 고정하고 시편 인가 응력을 변화시켜가며 정적·반복 피로 시험을 한 후 시편의 꺾임강도를 측정하여 강도 열화를 관찰한 결과, 이론식에 의해 계산한 결과와 잘 일치하는 거동을 나타내었다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

재료의 비파괴적 기계적 성질 평가를 위한 연속압입시험기

재료의 기계적 성질을 평가하기 위한 연속압입시험법은 압흔 조사를 통해 경도값만을 조사하는 기존의 경도시험법을 보다 개선시킨 것으로써, 압입하중에 따른 압입 깊이의 연속적인 측정(압입하중-변위곡선)을 가능하게 하여 전체 탄소성 압입상황에 대한 실험자료를 제공한다. 따라서 측정된 압입하중-변위곡선으로부터 재료의 경도값은 물론 탄성계수, 항복강도 등의 계산이 가능하고, 시간에 따른 압입깊이의 변화 측정으로부터의 압입 크리이프 성질과 압입균열 생성시에는 재료의 파괴인성을 구할 수 있다. 그리고, 재료 내의 잔류응력에 따른 압입하중-변위곡선의 변화 분석을 통해 잔류응력을 정량화할 수도 있으며, 구형압입자의 경우에는 압입깊이에 따른 재료의 변형율이 증가하므로 압입하중-변위곡선으로부터 일축인장시험에서의 진응력-진변형율 관계를 유도해낼 수도 있다. 이와 같이 연속압입시험법은 다양한 재료의 기계적 성질을 얻을 수 있게 하고, 특성상 용접부와 같은 미소영역 및 시편수급이 어려운 재료에 있어 쉽게 적용될 수 있다는 장점을 가지고 있다. 또한 시험방법이 간편·편리하고 비파괴적이므로 현장에서의 직접적인 사용이 가능하고, 온도 및 압력에 따른 재료열화가 발생하는 파이프, 압력용기 등의 재료와 같이 연속적으로 기계적 물성이 변하는 경우에 있어 적합한 방법이 된다.

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2000-04-11
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일반기술 전기·전자 > 기타 산업용 전기전자

PZT 박막 캐패시티의 비대칭적 성질

최근에 이르러 강유전체가 갖고 있는 높은 잔류 분극과 높은 유전률과 같은 고유한 특성으로 인해 비휘발성 기억소자나 DRAM과 같은 기억소자로의 응용에 큰 주목을 끌고 있다. 이러한 비휘발성 기억소자는 DRAM의 특성인 빠른 동작속도와 데이터 입출력의 용이성 위에 강유전체의 비휘발성(bistable state)이 추가된 특성이 있으며 휘발성 기억소자에서는 강유전체에 고유한 높은 유전률을 이용하여 기존의 DRAM의 고집적화의 한계를 극복하려는 것이다. 비휘발성 기억소자로의 실현에 강유전체박막의 신뢰성 즉 fatigue, retention, imprint 등이 가장 중요한 문제로 부각되었다. 이중 최근에 이르러 주목을 받고있는 imprint란 강유전체 박막캐패시터의 성질 즉 전기신호에 따른 분극상태의 변화가 비대칭성을 띠게되고 이와 같은 강유전체 캐패시터를 포함하는 단위기억소자가 테이타의 입출력과정에서 오동작을 발생하게되는 것을 말한다. 본 연구는 비휘발성 강유전체 기억소자의 실현에 가장 중요한 신뢰성 문제로 부각된 imprint failure를 일으키는 강유전체의 비대칭성의 원인을 이해하기 위해서 pulsed laser deposition 방법으로 La(Sr)CoO3/Pb(ZrTi)O3/La(Sr)CoO3 복합구조를 성장시켰다. PZT 박막캐패시터의 전극이 모두 같은 조성일 때, 즉 (La0.5Sr0.5)CoO3 (LSCO)일 때 PZT 박막의 이력곡선은 대칭성을 보여준다. 그러나 산화물전극의 조성이 변할 때 PZT 박막캐패시터에서 비대칭성을 발견했다. 즉 LaCoO3 (LCO)를 상층전극, LSCO를 하층 전극으로 사용하였을 때 이력곡선은 음의 방향으로 분극된 상태가 불안정하여 음의 잔류 분극의 완화현상을 보여준다. 반면 상층전극이 LSCO, 하층전극이 LCO인 PZT 박막캐패시터는 양의 방향의 분극 상태가 불안정하여 양의 잔류 분극이 완화현상을 보여준다. 두 경우 모두 비대칭성으로 인한 imprint failure를 발견했으며 이것으로 전극물질과 imprint failure가 아주 밀접한 상관관계가 있음을 알 수 있다. 이러한 전극 구조에 의존한 분극상태의 비대칭적인 거동의 원인은 PZT 층의 내부전계의 형성 때문이며, 내부전계는 LCO/PZT와 LSCO/PZT 계면에서의 전압강하 차이 때문에 발생함을 알 수 있었다. 이러한 비대칭적인 전기적 접촉은 상층과 하층 전극의 일함수 차이에 의한 전자밴드구조의 비대칭적인 변형의 결과로 결론 내릴 수 있었다.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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이차전지용 전극 활물질의 충.방전 특성 평가를 위한 EME(Electrochemical Mirage Effect)기술의 적용

이차전지를 포함하여 전기화학적 에너지 생산·저장 시스템의 성능이나 수명을 결정하는 가장 중요한 요인은 전극 표면, 전극/전해질 계면에서 진행되는 산화/환원 반응이라고 할 수 있다. 이들의 연구를 위하여 그동안 ESCA, AES, LEED등 많은 분광학적 표면 조사 기술을 사용하여 위한 노력이 지속되어 왔다. 그러나, 본질적으로 위의 기술들은 모두 ex-situ 기술로서 반응이 완료된 후에 시편을 cell에서 분리하여 분석용 시편 제작 후 측정하기 때문에 분석 시편 제작동안 있을 수 있는 전극의 여러 가지 변화 및 이물질에 의한 오염에 대해서 대책이 부족하며, transient process에 대한 연구가 불가능하다는 단점을 내포하고 있었다. 이들에 비해 최근에 개발된 EME 기술은 고도의 직진성을 갖는 레이저를 probe beam으로 사용하고, 정밀한 레이저 검출기를 사용하여 전기화학 반응이 일어나는 동안 계면반응에 의한 전극의 변화를 in-situ로 측정할 수 있기 때문에 위에서 제시한 여러 가지 표면 조사 기술의 단점을 보완할 수 있고, 반응 산물만을 측정하는 것이 아니고 전해질 속의 화학종 및 전극 내에서 확산하는 화학종까지 측정할 수 있는 장점을 가지고 있다. EME는 전극 반응이 일어날 때 반응에 참여하는 화학종들의 농도구배에 의해 전극 부근 전해질의 굴절률이 변화하며, 이때 optical windows를 통해 cell 내에 조사된 probe beam의 편향을 10-9rad. 농도로 환산하면 10-3mol까지도 측정하는데, 여기에 FT-iR 등에서 사용하는 multiplexed source를 excitation light으로 전극 표면에 조사하면 반응에 참여한 화학종까지도 모두 분별할 수 있는 첨단 기술이다. 또한 EME에서는 probe beam과 전극이 직접 접촉하지 않기때문에 전극 반응에 영향을 주지 않으며, 충·방전 cycle 동안 화학종의 확산 현상 및 transient process를 모두 검출할 수 있으므로 이차전지용 전극 활물질의 충·방전 특성 평가에 매우 유용한 기술이라고 할 수 있다.

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고강도 알루미늄 주조합금에 의한 자동차부품개발

- 고강도 알루미늄합금의 용해기술 - 고강도 알루미늄합금의 원소첨가기술 - 주조공정에 의한 고강도 알루미늄합금 개발( 인장강도 : 45Kg/mm2, 연신율 12%) - 시제품제작을 위한 주조방안 확립 - 시제품의 소재 특성평가철소재를 고강도 알루미늄으로 대체하므로 경량화효과가 탁월함. 주조에 의한 알루미늄합금의 인장강도 : 45Kg/mm2, 연신율 12% 이상의 고강도이므로 기존 주조와 단조공정으로 제조하던 것을 주조공정만으로 제조하므로 생산단가가 저렴하고 철소재를 알루미늄으로 대체하므로 경량화 효과가 지대함.

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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일반기술 재료 > 기타 금속재료

고성형성 고강도 알루미늄 합금판재개발. 용접용 고강도 알루미늄 합금개발

각 세부과제에서는 자동차용인 고성형성 판재, 철도차량용인 용접합금 소재, 항공기용 소재인 Al-Li계 합금소재, 초소성 알루미늄 합금소재를 연구하였다.1. 고성형성 고강도 알루미늄 합금소재 연구에서는 재질특성을 35-35까지 개선하였음. - 양산화 공정 연구와 차제 적용시험으로 실용화 가능성이 확인됨.2. 용접용 고강도 알루미늄 합금개발연구에서는 특허합금의 강화기구 규명과 압연재의 가공열처리법을 연구하였다. - GTAW, GMAW등의 용접법으로 우수한 용접성을 확인함. - 현재 개발소재를 생산하기 위한 압출공장을 건설중 임. 3. 저비중 고강도 알루미늄 - 리튬 합금에서는 연구합금의 재질개선과 제조법을 연구함. - 중강도의 항복강도 437MPa, 신율 8.7 %, 비중 2.54인 Al-Li계 합금을 개발함 - 러시아의 Al-Li계 합금 제조기술을 도입하여 준생산 규모 연구를 준비함. 4. 초소성 알루미늄 합금 및 성형성 개발에서는 초소성 신율이 500%이상인 초소성 신합금과 이의 제조공정조건에 대한 특허를 출원하였다. - 제조공정 단순화로 생산단가를 크게 낮출 수 있었음. 5. 압분체 압출에 의한 고강도 소재개발에 관한 연구에서는 저열팽창, 고강도 내마모성 알루미늄 합금을 연구하였다. - 회전 disk atomizing법으로 7000계 분말 압출재를 제조함. - 상용 Scroll의 중심부에 해당하는 원통형상의 건전한 압출품을 성형하는데 성공함

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한국생산기술연구원
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2000-04-11
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