일반기술
이온 주입장치
반도체 기판(웨이퍼)에 이온을 주입하는 장치에 관한 것으로, 플라즈마를 반도체 기판 표면에 접촉하듯이 도입함으로써 이온 주입에 의해 帶電된 반도체 기판의 표면이 플라스마에 의해 중성화되어 반도체 기판의 표면 전하의 축적을 방지할 수 있다.이온 주입에 의하여 대전된 웨이퍼 표면이 플라스마에 의해 중성화되어, 웨이퍼 표면 전하의 축적에 의한 전자회로 파괴 등의 문제가 해소된다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-19
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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