일반기술
반도체 제조 장치용 스테인리스강部材
전해연마처리를 한 스테인리스鋼 표면에 두께 75Å 이상의 비정질산화피막을 생성시킨 부재이며, 전해연마처리를 한 후에 250-500℃에서 5-60분 가열 산화처리를 하며 비정질 산화피막을 생성 시킴으로서 耐Gas 방출성이 뛰어난 반도체 제조 장치용 스테인리스강 부재를 싼 가격에 제공할 수 있다.본 기술은 제조장치에 쓰이는 가스경로의 구성 재료로서 가스방출량의 저감화가 뛰어남과 동시에 저렴한 가격의 스테인리스강 부재를 제공할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-19
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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