일반기술

이온 처리에 의한 표면 세척

절연 재료의 이온 세척 및 절연 재료의 이온 처리를 위하여 개발된 장치로서, 이 장치는 글로 방전 플라스마로부터 동시 이온 중화를 이용하여 이온 빔을 형성한다. 이 장치는 진공실 내에 설치하는데, 이 때 진공실은 백열광 소자를 포함하고 있지 않으며 냉각이 필요 없다. 개발된 장치를 사용하여 단일 기술 주기 내에서 코팅 증착 이전에 기판의 이온 세척 기술 공정이 개발되었으며, 코팅의 접착력이 2.5-3 배 증가되었고 MgF2 층과 대규모 (직경 200mm 이상)의 광학 부품 상의 반사 방지 간섭 코팅에 기반한 색지움 공정을 비롯한 반사 방지 코팅 증착의 무열 기술 공정의 개발이 가능하다.개발된 장치를 사용하여 단일 기술 주기 내에서 코팅 증착 이전에 기판의 이온 세척 기술 공정이 개발되었으며, 코팅의 접착력이 2.5-3 배 증가되었고 MgF2 층과 대규모 (직경 200mm 이상)의 광학 부품 상의 반사 방지 간섭 코팅에 기반한 색지움 공정을 비롯한 반사 방지 코팅 증착의 무열 기술 공정의 개발이 가능하다.