일반기술

감광성 및 감방사성 재료

마이크로일렉트로닉스, 무선통신, 복사기 산업의 분야에서 반도체 소자, 집적 회로, 포토마스크, 광학 스케일, 인쇄 회로 기판, 오프셋 보드 등의 생산 기술에 사용된다. 알킬포름알데히드 노보락 및 레졸 수지를 기본으로 한 포지티브 포토레지스트(FP-9120-1, FP-9120-2, FP-051K, FP-051SH, FP-25KS, FP-051MK 및 기타). 이들은 접촉 및/또는 투사노출의 포토리쏘그래피 실현을 목적으로 하고 있다. 크레솔포름알데히드 수지를 기본으로 한 포지티브 포토레지스트(FP-151MK, FP-252MK, FP-3513, FP-5013). 이들은 포토리쏘그래피 공정, 플라즈마-화학적 에칭, 및 기타 등의 실현을 목적으로 하고 있다. 합성 싸이클로러버를 기본으로 한 네가티브 포토레지스트(FN-11C, FN-11C-K). 이들은 포토리쏘그래피 공정의 실현과 금속의 갈바닉 증착을 목적으로 하고 있다. 메틸 메타 메타크릴레이트/메타크릴릭 산 공중합체를 기본으로 한 포지티브 일렉트론 레지스트(ELP-9, ELP-20, ERXPY-85)는 폴리메틸 메타크릴레이트 크레졸 - 포름알데히드 수지를 가수분해한다. 이들은 일렉트론-리쏘그래피 실현을 목적으로 하고 있다. 회절격자, 그리드-마스크 스크린, TV 스크린과 디스플레이의 블랙 매트릭스의 생산에 사용되는 감광성 복합재료(SK-151, SK-488, STK-1, SKM).크레솔포름알데히드 수지를 기본으로 한 포지티브 포토레지스트(FP-151MK, FP-252MK, FP-3513, FP-5013). 이들은 포토리쏘그래피 공정, 플라즈마-화학적 에칭, 및 기타 등의 실현을 목적으로 하고 있다. 합성 싸이클로러버를 기본으로 한 네가티브 포토레지스트(FN-11C, FN-11C-K). 이들은 포토리쏘그래피 공정의 실현과 금속의 갈바닉 증착을 목적으로 하고 있다. 메틸 메타 메타크릴레이트/메타크릴릭 산 공중합체를 기본으로 한 포지티브 일렉트론 레지스트(ELP-9, ELP-20, ERXPY-85)는 폴리메틸 메타크릴레이트 크레졸 - 포름알데히드 수지를 가수분해한다.