일반기술

CF(4) 혼합물로부터 크립톤의 정화를 위한 독립형 플랜트

수명이 긴 조명드에 필러로서 사용되고 크립톤-플라즈마의 효과적 발생을 위하여 사용되는 크립톤을 CF4 혼합물로부터 정화하는 것임. 혼합물의 흡착은 칼슘 칩으로 채워진300-700 도C의 반응장치에서 이루어진다. 이 공정에 의하여 비휘발성의 탄화 칼슘과 불화 칼슘의 화합물이 발생된다. 출구에 정화된 기체가 미세-정화 필터를 통하여 흐름으로서 반응생성물을 포집하게 된다(정화된 기체에는 탄소 증기가 존재하지 않는다). 설비의 기술적 특징. 크립톤 10 기압에서의 용량 20 m3/h, 충진 밀도 0.2 kg/dm의 반응장치에서 칼슘 칩의 부피 50 l, 초기 CF4 함량 약 40 ppm/m3에서 반응장치 가동시간 10000분, 전체 체적 1*1*2 m. 이 설비를 사용함으로 인하여 종래의 크립톤-제논-혼합물 정류에서 사용된 복잡하고 값비싼 설비를 사용하지 않아도 되며, 또한 높은 기체 정화도(혼합물의 초기 함량 200-1000 ppm에서 정화된 기체의 농도는 0.5 ppm을 넘지 않는다)를 얻을 수 있었다.크립톤 10 기압에서의 용량 20 m3/h, 충진 밀도 0.2 kg/dm의 반응장치에서 칼슘 칩의 부피 50 l, 초기 CF4 함량 약 40 ppm/m3에서 반응장치 가동시간 10000분, 전체 체적 1*1*2 m. 이 설비를 사용함으로 인하여 종래의 크립톤-제논-혼합물 정류에서 사용된 복잡하고 값비싼 설비를 사용하지 않아도 되며, 또한 높은 기체 정화도를 얻을 수 있었다.