일반기술

리액터와 플라스마 에칭 기술

다층 금속화가 가능한 VLSI 클러스터 장비의 유전체층(SiO2, 유리)에서 다양한 에칭 프로파일을 가진 에칭 접촉 윈도우와 단결정 실리콘에서 유전체 트렌치 분리 형성 영역을 위한 리액터를 제작하였다. (A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다 이용 가능한 다른 리액터에 비하여 IE 리액터는 후글로우 시스템과 같은 포토레지스트 마스크의 "부드러운" 제거 또는 "부드러운 세정"을 위해 IE 사용을 허용하는 다른 래디컬(예를 들면 산소) 뿐만 아니라 불소의 강한 흐름원을 견딜 수 있다. 가장 유사한 제품으로는 무지개 유닛(Rainbow Unit)에 근거한 램(Lam) 연구소의 시제품이 있다. IE 리액터는 스크린 그리드가 없는 즉 포토레지스트에 대한 고감도(20이상)를 가진 빠른 에칭 속도와 부가적인 결함을 줄여줄 수 있는 보다 간단한 설계로 구성되어 있다. 유사 제품을 정밀도 5000 마크 5 유닛에서 적용된 재료들로 의해 실현하였다. 제안한 버전은 현저히 저가격의 리액터에서 유사한 에칭 특성을 보장한다.(A) 내부층 유전체의 등방성 에칭(IE)의 단계를 위한 리액터의 전력 공급은 고주파 13.56MHz, 직경 150mm의 공정 웨이퍼를 위한 리액터의 크기는 300*300*300mm를 넘지 않으며 다른 특성으로는 SiO2의 등방성 에칭 속도(SF6에 가스 혼합)는 2500-4000A/min, 에칭 불연속성, 3-5%, SiO2/포토레지스트의 선택도 5:1-20:1, HF 전력(13.56MHz) 1000Wt까지, 웨이퍼 온도 +80에서 90도C까지이다. (B)웨이퍼의 헬륨 냉각 즉 도핑 다결정 실리콘의 동시 에칭 또는 다결정 실리콘에서 트렌치 구조를 만들기 위해 설계된 마그네트론 방전 소자를 가진 리액터(Cl2에 기초한 기체 혼합을 이용하였을 때)의 주요 시험 결과는 트렌치 모드에서 에칭 단결정 속도는 0.3마이크로미터/분, 에칭 이방성 0.98, SiO2 마스크에의 에칭 선택도 10-15, 트렌치의 도달 깊이는 12마이크로미터 이상 가능하다