일반기술

실리콘 집적빔 트랜스듀서 제조 기술

힘, 하중. 운동과 가속을 전기적 신호로 변환하는 트랜스듀서로서 낮은 가격과 높은 도량학적 특성을 가진 TKB 시리즈의 집적 스트레인 빔 트랜스듀서에 대한 독점 설계와 기술이다. 트랜스듀서는 표면에 스트레인 임피던스 브리지를 가진 특수 형태의 교차 오목형에서 제작된 기계적 응력 집중기의 직사각형 실리콘 빔으로 구성되어 있다. 이 제품의 주요 기술적 특성은 공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다. 빔 트랜스듀서에서 과부하 수송 능력의 기술적 경로로 인한 특수한 기술 때문에 칩의 수는 증가한다. 2측면 정렬의 독점 기술은 빔 트랜스듀서의 전기-물리적 특성에서 재생산성을 향상시켜 결정의 생산성을 증가시킨다. 외국의 주요 비슷한 제품(예를 들어 미국의 엔데보코, 하니웰)의 트랜스듀서와 기술적 특성이 일치하며 과부하 허용과 가격이 다른 제품에 비해 우수하다.공칭 부하 0.15-0.20 N, 최대 부하 0.45-0.60N, 공급 전압 5, 6.4, 8, 9V, 공칭 출력 신호 (100, 130, 160, 200) +-20%mV, 출력 신호 비선형성 0.2% 미만, 동작 온도 범위 -40도C에서 +100도C까지, 드리프트 온도 감도 0.02%/도C 미만이다. 빔 트랜스듀서를 가진 단일칩상의 집적 온도 보상 회로는 트랜스듀서 칩의 영역에서 온도의 정밀 측정을 위해 -40도C에서 +100도C까지 범위의 큰 온도 보상(가장 좋은 외국 제품에서는 -20도C에서 +70도C까지), 0.02%/도C보다 작은 온도 감도 드리프트를 가진 공개된 온도 범위에서 주요 트랜스듀서의 특성을 얻을 수 있다.