일반기술

교차-마그네트론 스퍼터링 장치에서의 에피텍셜 HTS-필름 성형 기술

세라믹 Y-Ba-Cu-O 목표의 교차-마그네트론 스퍼터링 장치에서 에피텍셜 HTSC 박막을 성형하는 유일한 이온-플라스마 기술이 설명된다. 이 기술은 HTSC 재료의 전자-물리적 특성에 대한 고 품질 그리고 높은 재생성 박막층의 제조를 가능하게 한다. 교차-마그네트론 스퍼터링 장치의 설치에 있어서 차별적인 특수성은, 첫째 다성분 산화물-함유 재료 스퍼터링 공정에서 필름을 다시 스퍼터링 할 필요가 없다. 둘째 화학량론 성분의 고급 carrying을 갖는 다성분 필름의 성형이다. 장치는 판을 싣고 부리는 자동 장치에 의한 슬루스, 교차-마그네트론 스퍼터링 장치, 작업자와 슬루스 카메라에 대한 비오일 롤아웃 장치, 증발 공정에서 가열 장치와 기판 온도 검사, 감독 장치와 기술적 절삭의 검사 등을 갖추고 있다. 기술적 설명으로는 한계 잔류 압력 6.65*E-4Pa, 가공 판의 지름 76mm, 안정화된 각 마그네트론 1.0KBT 전력이 +-5%, 두께에 대한 필름의 조도 +-5%, 목표(제어된) 전의 판으로부터의 거리 20+70mm, 목표 사이의 거리 100+-20mm, 축방향 교차-마그네트론 장치에서 목표 표면장의 최대 절연 0.04T, 0.01T, 판의 작업면에서의 최대 온도 섭씨 750도, 판에서 온도의 조도 +-5%, 아르곤과 산소 비용의 가스 시스템 이중-링크 상호관계 (Ar+O2), 1:1+10:1, Ar+O2 혼합물의 작업 압력 (1+50)*E1Pa이다. 설명된 석출 공정은 접착의 미세도를 갖느 벌크와 비결합 필름, 비억제 구조, 두께에 대한 높은 균일성, 스트론늄 티탄산염, fianit, ortogalat lantan 등의 단결정 기판에서 화학량론 성분의 높은 균질성을 갖게 한다. 고온 합성 공정 중에 단결정 회티탄석 구조를 갖는 HTSC 화합물의 사방정계 초전도 상을 형성하게 된다. 박막층 형성 공정은 직경 76mm, 필름 두께 0.1-0.3mkm을 갖는 균질성의 유지와, 게스트-타입 상의 부재와 기판/층 경계에서 적대적 포함을 배제하게 한다. HTSC 필름의 파라미터는 초전도 조건에서 전이 온도가 87-92K, 77K에서 임계 전류 밀도가 1*E6A/sm2이다. 에피텍셜 HTSC-박막 성형에 대한 다른 방법과 비교하여 이 기술은 76mm까지의 지름을 갖는 생산된 층의 전자-물리적 특성에 대한 높은 재현성을 갖게 한다. 개발된 접근법과 장비는 러시아에서 다양하게 이용되는 HTSC IC의 생산에 널리 이용되고 있다. 이 IC의 응용은 계측 공학, 자력 측정, UHF-기술, 광대역 신호의 처리와 변환, 컴퓨터 기술의 초고속 요소 기반 구조 등에서 저온 전자 장비의 실질적인 이용을 상당히 넓힐 것이다.한계 잔류 압력 6.65*E-4Pa, 가공 판의 지름 76mm, 안정화된 각 마그네트론 1.0KBT 전력이 +-5%, 두께에 대한 필름의 조도 +-5%, 목표(제어된) 전의 판으로부터의 거리 20+70mm, 목표 사이의 거리 100+-20mm, 축방향 교차-마그네트론 장치에서 목표 표면장의 최대 절연 0.04T, 0.01T, 판의 작업면에서의 최대 온도 섭씨 750도, 판에서 온도의 조도 +-5%, 아르곤과 산소 비용의 가스 시스템 이중-링크 상호관계 (Ar+O2), 1:1+10:1, Ar+O2 혼합물의 작업 압력 (1+50)*E1Pa