일반기술
고밀도 트렌치 DRAM 셀을 위한 다결정 실리콘 필러 MOSFET
4Gbit와 그 이상에 대한 DRAM 셀을 위한 새로운 구조와 제조 공정을 제안하였으며 다결정 필러 MOSFET는 고밀도 DRAM 응용을 위해 개발되었다. 다결정 필러 트랜지스터는 데이터 전달 선로를 위하여 직접 결합되어 있는 필러 트랜지스터의 정상을 가진 트렌치 캐패시터의 정상에 형성되어 있다. 자기 정렬 단어선과 접촉 공정은 4Gbit 이상의 크기가 쉽게 제조됨을 증명하였다. 이 구조의 장점은 크기가 점점 작아지는 능력이 있으며 각 셀 사이의 완전한 분리와 공정이 쉽다는 것이다. 따라서 이 필러 셀은 미래 DRAM 기술들을 위한 좌표를 약속해 준다.크기 구조를 보다 줄이기 위한 능력, 각 셀 사이의 완전한 절연, 셀 트랜지스터의 매우 적은 누설 전류, 캐패시터의 데이터 유지 시간 증가
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-26
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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