일반기술
여기 편광 광방사 다이오드
방사된 광자와 주입된 캐리어의 에너지 차가 있는 직접 대역갭 반도체에서 PN 접합 터널링 다이오드는 재료의 세로 광학 포논의 에너지와 동일하다.방사된 광자와 주입된 캐리어의 에너지 차가 있는 직접 대역갭 반도체에서 PN 접합 터널링 다이오드는 재료의 세로 광학 포논의 에너지와 동일하다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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