일반기술
대형 그레인 공간 특수 다결정 실리콘을 위한 게르마늄 시딩
수직 직접을 위한 고성능 MOS 소자를 이루기 위한 대규모 입계 다결정막 성장을 시드하기 위한 새로운 기법이다. 이 기법은 특수 위치에서 입계가 핵을 이루기 위한 비정질 실리콘 전구막상의 시딩점에 게르마늄을 패턴한 것을 이용한다. 게르마늄의 사용은 유리 기판을 할 수 있으므로 낮은 온도 처리를 사용하는 것이다. 이 기술을 깊은 준미크론 소자에서 거의 단결정 성능을 가지고 스케일러블하다. 이 소자들은 언시드 소자에 대한 통계적 변화의 저감과 성능에서 필수적인 개선을 시험으로 나타내었고 제작하였다.금속 기반 시딩 금속에서 성능 개선, 표준 VLSI 제조 공정과의 호환성, 게르마늄이 저온 다결정 형태로 증착, 게르마늄이 선택적으로 증착, 리소그래피 단계에서 저감 생성, 게르마늄 시딩이 게이트 정의에 앞서 실행
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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