일반기술
음향 트랜스듀서의 개선된 미세 제작
이 발명품은 미세 제작된 음향 트랜스듀서를 위한 새로운 제조 공정이다. 제조 기구는 지원이 리소그래픽적으로 정의된 질화물 지원 질화물막이다. 희생층의 제거는 에칭의 고선택성 때문에 막기하학에 영향을 미치지 못한다. 질화물은 효과적으로 에치를 정지시킨다.트랜스듀서 막 기하학의 정밀 제어, 막과 지원 기하학의 리소그래픽적 정의, 막은 임의의 에치 바이어스를 가지지 않는다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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