일반기술
고성능 MOS 박막 트랜지스터를 위한 패턴 광흡수 마스킹과 측면 결정화
이것은 거의 단결정 성능을 가진 측면 결정화된 박막 트랜지스터(TFT)의 제작에 대한 새로운 기술이다. 이 기법들은 제어 위치에서 핵을 이루는 입계의 급속 열어널링 동안 광의 제어 흡수에 사용되며 완전하게 비접촉 시딩 기법을 검증하였다. 니켈과 같은 종래의 시딩 에이전트들은 소자 성능에 유해한 효과를 가지며 표준 CMOS 공정과는 비교할 수가 없다. 제작된 소자들은 소형 소자 크기를 위한 특별히 표준 저온 공정 TFT에 대한 중요한 개선이 있다. 따라서 이 기법은 VLSI 응용에 대한 디스플레이 구동기 3차원 집적 회로에 사용할 수 있다.소자 성능에서 낮은 공간과 통계적 변화, 금속 기반 시딩 기법에 대한 성능 개선, 표준 CMOS 공정과 호환, 마스크 설계의 변화에 의한 단일 기판상의 다른 응용을 위한 소자의 동조 성능
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 기타 반도체
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-27
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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