일반기술

제어된 교환 상호 작용을 이용한 초전도 자기 저항 메모리 요소

이 발명품은 외부 자계에 의한 정상 상태와 초전도 상태 사이에서 스위치 할 수 있는 새로운 메모리 소자이다. 이 소자는 초전도체/이중 자기 3층으로 구성되어 있고 거대 자기 저항 메모리 소자와 유사한 방법으로 스위치 된다.초고속 동작, 저소비 전력

기술정보

정보 없음