일반기술
준위상 정합 비선형 광학을 위한 배향 패턴 갈륨 비소 제조를 위한 에피택셜 기법
이 발명품은 비선형 광주파수 변환 응용을 위한 보다 효율적인 재료들을 제작하는 방법이다. 이것은 주기 또는 비주기 배향 변조를 가진 GaAs 결정의 에피택셜 성장을 가능하게 한다. 이러한 배향 변조를 가지고 준위상 정합을 얻을 수 있고 높은 소자 효율을 얻을 수 있다. 이 기법은 배향 패턴 반도체막의 두께에 의존하는 도파관과 체적 비선형 소자 모두를 제작하는데 이용할 수 있다.준위상 정합 비선형 광학에서 사용한 앞선 재료보다 훨씬 큰 중적외선속으로 GaAs의 투명성은 따라서 파장 변환의 확장이 비선형 광주파수 변환을 위하여 생성할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 물리학 > 기타 광학
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-02-28
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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