일반기술
cMUTs에서 누화 저감
이 발명품은 단일 소자의 자기 유도 누화와 cMUT 배열 원소 사이의 누화 저감과 관련이 있다. 램브파의 경우에 하나의 접근법을 웨이퍼 두께의 변화에 위해 방사각의 변화와 효율의 감소이다. 고립파의 여기 효율은 에지 효과 감소를 위한 원소의 어포다이징에 의해 감소시킬 수 있다. 웨이퍼 에지 방향 또는 배열의 다른 원소를 위한 이들 파의 진행에 따른 차단 감쇄 은닉의 몇 가지 방법이 있다.누화 감소
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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