일반기술
주사 캐패시턴스 표본 준비 기법
이 기법은 서브미크론 차원의 소자 IC 반도체에서 전기적 집중과 도핑의 측정 개선이다. 이 발명품은 개선된 트랜지스터 성능과 준 0.1 미크론 트랜지스터를 위한 보다 소형인 설계 규칙 개발을 위해 사용할 수 있다.준 0.1 미크론 소자 설계와 시험이 가능한 2차원 캐리어 프로파일링을 허용하는 샘플의 원래 표면으로부터 떨어진 곳에서 자동적으로 표면 평활 왜곡 자유 측정
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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