일반기술
반도체에서 전하 밀도 변조의 광검출을 위한 방법
이 발명품은 반도체 소자에서 동적 시트 전하 밀도 변화를 탐침하기 위한 기법이다. 이 기법은 정적 전하 밀도 측정 또는 전하 밀도의 변조를 결정하는데 이용할 수 있다. 전하 밀도 감도는 능동 소자에서 마이크로 볼트 신호 레벨 검출을 가능하며 신호/잡음 레벨에 대응한 디지털 신호는 실시간으로 수집할 수 있는 다중 메가 바우르 데이터로 충분히 높다. 정적 전하 밀도 측정 또는 전하 밀도의 변조를 결정하는데 이용. 전하 밀도 감도는 능동 소자에서 마이크로 볼트 신호 레벨 검출을 가능. 신호/잡음 레벨에 대응한 디지털 신호는 실시간으로 수집할 수 있는 다중 메가 바우르 데이터로 충분히 높다.
기술정보
- 기술분류
- 물리학 > 레이저 광학(R12)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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