일반기술
열플라스마에서 화학 반응 제어와 촉진을 위한 비평형 사용
이 발명품은 적어도 하나의 다중 원자 재반응을 포함한 플라스마 형성에 의한 화학 반응 증진을 위한 방법을 제공하며 반응 영역속으로 플라스마가 흐르며 약 100。K에 의해 플라스마의 전자 온도를 상승시킨다. 상승된 전자 온도는 해리되었을 때 다중 원자 반응의 재조합과 플라스마에서 다중 원자 반응의 해리를 증가시킨다. 이 방법은 실리콘과 다이아몬드와 같은 재료의 화학 증기 증착 개선을 위해 실제로 사용할 수 있다.증진 화학 반응
기술정보
- 기술분류
- 화학공정 > 기타 정밀화학물질 기술
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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