일반기술
이중 이종 접합 역전 베이스 트랜지스터
베이스 영역에서 쌍극 트랜지스터는 2차원 홀 가스로서 이종 구조 기능을 가진 반도체 재료의 도프층과 이종 구조를 포함한다. 도프층은 홀들의 전하 중성 영역의 발생을 방지하기 위하여 충분하게 얇게 하였다. 베이스 영역에서 소수 전하 저장의 문제가 없기 때문에 트랜지스터 동작을 빠르게 스위치할 수 있다. 이 소자는 VLSI 회로에서 크기 감소를 이룰 수 있다.다른 쌍극 트랜지스터와 비교하여 크기 감소와 속도 증가
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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