일반기술
MOS 게이트 전극을 위한 SiGe
이 발명품은 대형 디스플레이 드라이버 응용을 위한 Ge/Si 합금 박막에서 MOS 트랜지스터 제작을 위한 새로운 기술을 제안한다. 박막 MOS 트랜지스터들은 Ge/Si 증착과 도핑 기술 이용에 의해 섭씨 500도 이하의 온도에서 제작되었다. 제작된 트랜지스터들은 표준 공정 기술을 이용한 실리콘막에서 제작된 박막 트랜지스터와 비교하여 전기적 특성이 중요하게 개선되었다.저온 처리, 고속, 짧은 공정 시간
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-01
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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