일반기술

표면 평활도 및 절연 특성이 우수한 실리콘산화물 절연박막 증착 기술 및 특성

표면 평활도 및 절연 특성이 우수한 실리콘산화물 절연박막 증착 기술 및 특성 최근 세라믹 계열의 투명한 SiO2 절연층은 반도체 디바이스나 광디바이스등으로 그 응용분야가 확대되어가고 있다. 반도체 디바이스에서는 주로 중간절연층(Intermetal oxide), 확산저지층(Diffusion masking), 표면보호막(Surface passivation) 등에 이용되며, 광디바이스에서는 Si와 SiO2박막을 다층으로 형성하여 간섭필터(Interference filter), 편광자(Polarizer), 편광분리기(Polarization splitter) 등에 이용되고 있다.SiO2 박막제조에는 화학적 기상 증착법(CVD)과 물리적 기상 증착법(PVD)이 이용되어지고 있으며, 화학적 기상 증착법(CVD)에서는 유독가스를 사용하는 문제점이 있어 물리적 기상 증착법(PVD)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 또한, 물리적 기상 증착법(PVD)중에서도 아르곤/수소(산소)반응성 스퍼터링을 사용하여 SiO2박막을 제조하면 박막내부의 응력감소, 박막 내부구조가 치밀하고 우수한 절연특성과 매우 작은 표면 평활도 등의 우수한 특성의 박막을 제조할 수 있다. 본 연구에서는 아르곤/수소 반응성 스퍼터링을 통하여 박막의 표면 평활도를 45에서 2.4까지 감소할 수 있었으며, 아르곤/산소 반응성 스퍼터링을 통하여 박막의 절연성을 30V인가시 2.5109에서1.81011까지 증가