일반기술
펄스 UV 레이저를 이용한 규소 화합물 판막과 관련 실리콘 기질의 도핑
반도체 장치에서 도판트(dopant)의 선택적 유입으로 생성되는 이극성 이형 접합부(얕은 접합부)와 관련된다, 도판트를 포함하는 대기에서 펄스 레이저 광선으로 표면 부위를 주사함으로써 얕은 지역이 반도체내에서 형성된다, 펄스 레이저 광선은 대기로부터 도판트 원자를 끌어낼 충분한 강도를 가지며 불충분한 강도는 반도체 물질을 녹인다, 규소 화합물 층은 대기 유래의 도판트와의 조사 즉, 규소 화합물에서 반도체 표면으로의 조사에 앞서서 반도체 표면에 자리잡는다, 선택적으로, 표면 부위 조사에 앞서서 규소 화합물 층은 도판트 원자를 포함할 수 있다더 얕은 접합부, 더 나은 과정 조절, 펄스당 적은 도판트, 존재하는 도핑 부위의 덜한 파괴
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 공정 (B63)
- 보유기관
- 특허법인충정
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2001-03-03
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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