일반기술

화합물 반도체 광소자 에피웨이퍼 생산기술

현 산업 사회의 정보화 사회로의 성숙에 따라 현재 전세계의 각 선진국에서는 광대역 디지털 종합 네트워크(Broadband Integrated Services Digital Network: B-ISDN) 구축사업을 활발히 전개하고 있다. B-ISDN에서는 네트워크의 정보 전송 능력을 극대화하기 위하여 광통신 시스템을 주축으로 통신 시스템을 구축하고 있으며 국내에서도 2015년까지 각 가정을 광통신 시스템으로 연결하고자 계획하고 있다. 이러한 B-ISDN 구축 사업에 의하여 고속 광소자 및 전자소자에 대한 수요가 급격히 늘고 있는데 이러한 용도에 사용되는 소자는 대부분 화합물 반도체 이종접합을 이용하는 구조를 가지고 있다. 한편, 화합물 반도체 이종접합은 서로 다른 여러 종류의 화합물 반도체를 다층 구조 형태로 결함없이 에피성장하여야 하는 요구에 의하여 고도의 에피성장기술이 요구된다. 이러한 화합물 반도체 이종접합 소자 제작을 위하여 다수의 에피성장법이 사용되고 있으나 이중 MOCVD 에피성장법은 다양한 구조를 에피성장시킬 수 있는 장점과 CVD 방법이 갖는 대면적 에피성장의 용이성에 의하여 대량생산용으로 가장 널리 사용되는 에피성장법이다. 현재 국내의 삼성, LG, 현대, 삼미, 국제, 광전자 등 화합물 반도체 소자 제작사에서는 자체적인 에피 웨이퍼 제작과 함께 외국에서 에피 웨이퍼를 수입하여 소자를 제작하고 있는 실정이다. 특히, 국내에서의 에피성장 기술이 아직 안정화되어 있지 않은 이유로 많은 물량을 일본, 미국, 유럽 등으로부터 수입하고 있는 실정이다.본 연구진은 지난 10년 이상의 MOCVD 에피성장 관련 연구를 기반으로 현재 1.3 m 및 1.55 m 통신용 InGaAsP/InP 레이저, 파장 필터, 파장 변환기 웨이퍼를 에피성장시키고 있으며 GaAs계 반도체 레이저 웨이퍼 에피성장도 함께 수행하고 있다. 본 연구진의 에피성장 기술을 국내의 중소기업에 접목하여 전용 에피 웨이퍼 생산사를 설립하면 국내의 수요를 충족시키고 나아가 외국으로의 수출도 기대할 수 있어 수익성있는 사업을 전개할 수 있을 것으로 기대한다.