일반기술

자기헤드 및 센서용 스핀밸브 거대자기저항 박막

새로운 기록매체의 지속적인 발달로 기록 밀도는 기하급수적으로 향상되고 있으나 기록된 정보를 읽는 헤드는 주로 기존의 유도 방식에 의존함으로써 그 한계가 드러나고 있다. 처리해야하는 정보의 양이 큰 HDTV용 VCR 등의 영상매체를 위하여 차세대 자기 헤드로서 자기 저항(MR)헤드가 제안되었으며, 현재 전세계적으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 그러나NiFe와 같은 기존의 자기저항 재료를 이용한 MR헤드의 경우 저항변화가 1~2% 정도로 작아 신호 처리 회로부분이 복잡해지는 단점이 있다.최근 발견된 거대자기저항 재료는 자기저항이 수십%에 달해 MR헤드 및 기타 자기 센서, 비휘발성 메모리의 새로운 재료로서 현재 전 세계적으로 가광받고 있다.그러나 거대자기저항 박막형성시 자장을 추가적으로 인가해야하므로 장비가 복잡해짐은 물론 기록매체 적용을 위해서는 자기이방성을 이정한 방향으로 유도해야 하므로 박막 형성시 위치까지 조정해야하는 단점이 있다.본연구에서는 기판을 조절함으로써 일정 방향으로 자기 이바엉이 유도되는 현상을 발견하여 이를 이용한 스핀밸브 자기저항 소자를 형성하였을 때 자기저항 변화가 수십% 변화시킬수 있었다. 이러한 결과는 거대자기 저항 헤드는 물론 DRAM보다 단위 면적당 기억소자 개수가 많은 MRAM의 제작이 가능하며 추가적인 외부인가 자장이 불필요하여 경제성이 뛰어나다.