일반기술

EL 표시소자용 산화바나듐 피막 제조 기술

산화바나듐은 바나듐의 산화가에 따라서 VO, VO2, V2O3, V2O5 등의 다양한 화합물을 가지며 각 화합물은 온도에 따라서 여러 가지의 결정 구조로서 변화한다. 이러한 결정구조의 변화시에는 전자의 에너지 구조의 변화에 의하여 부도체(또는 반도체)에서 도체(또는 반도체)로의 변화가 수반되며 이는 전기적인 물성뿐만이 아니라 색깔 등의 광학적 물성의 변화가 동반함을 의미한다. 또한 이러한 물성의 변화는 동소체 변태의 특성상 가역적으로 나타나며 조성에 따라서 상변이를 일으킬 수 있는 활성화 특성이 다양할 뿐만이 아니라 크고 작은 이력성(hysteresis)를 보일 수 도 있다. 따라서 산화바나듐을 열적이나 전기적으로 활성화를 시키면 인위적인 상변화를 일으킬 수가 있고 on/off switching에 의하여 가역적인 변화를 줄수도 있게 된다.산화바나듐의 박막 가공 기술로는 증발법과 스퍼터링 법 등이 있으며 본 연구 그룹은 두 거지 기술을 이용하여 +2에서 +5의 산화도를 가진 각종 산화바나듐 피막을 제조하는 기술을 보유하고 있다. 따라서 각종 용도에 쓰일 수 있는 소재의 가공이 가능하다.