일반기술

미세 구조와 미세 공극을 위해 튕겨진(sputtered) 실리콘

가공전 알류미늄이 입혀진 CMOS 회로 상에 해리된 미세 구조를 만드는 기술이다, CMOS 회로의 완성 후에 폴리이미드의 희생 층이 만들어진다, 희생 층은 본 떠지고 TiW-Si-TiW이 세 층은 저 스트레스 막을 생성하도록 전력과 압력에 의해 튕겨진다, 웨이퍼는 연결되고 세 층은 플라즈마에서 본 떠진다, 웨이퍼는 결과적으로 입방체로 되고 각 입방체는 폴리이미드 희생 층을 제거하기 위해 산소 플라즈마에 노출된다, 해리된 장치의 만곡은 축적된 두께에 역 평방에 따라 다양하다, 작은 스트레인 구배가 2 마이크론 막 두께에서 일어난다, 구배는 또한 TiW 덧씌운 금속 층에서 스트레스를 조정해 조절될 수 있다, 집적 회로 상부의 해리된 구조는 다음과 같은 용도에 쓰일 수 있다 : 가속계, 각속도 센서, 자이로스코프, 마이크로폰, 압력 센서, 촉각 센서, 진동계, 실리아 배열, 전시, 모터, 공명기, 동조 축전기, 혹은 LPCVD 폴리실리콘을 이용해 만들 수 있는 모든 장치LPCVD 폴리실리콘과는 다르게 튕겨진 실리콘은 CMOS 회로의 변화를 줄 필요 없이 상온에서 축적된다, 정전 용량과 민감성을 증가시키며 LPCVD 실리콘보다 더 큰 막 두께로 축적된다, 전통적인 물기 상태 해리의 복잡함과 압축이 필요 없이 건조 상태로 해리된다