일반기술

SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼

실리콘 웨이퍼는 순도 99.9999999%의 단결정(單結晶) 규소를 얇게 잘라 표면을 매끈하게 다듬은, 집적회로를 만드는 토대가 되는 얇은 규소판이다. 웨이퍼의 표면은 결함이나 오염이 없어야 함은 물론, 회로의 정밀도에 영향을 미치기 때문에 고도의 평탄도가 요구된다. 최근에는 두께 0.3㎜, 지름 15㎝의 원판 모양의 것이 사용되고 있다.이 실리콘웨이퍼는 조립한 후에 검사가 끝나면 개별 칩으로 잘려져서 완성된 집적회로로 사용된다. 한편, 집적회로 제작기술의 진보와 더불어 실리콘웨이퍼의 지름은 커져서, 앞으로는 지름이 30㎝나 되는 것도 나올 것으로 예상된다. 이에 본 기술은 반도체 산업의 핵심적인 기판재료인 실리콘 웨이퍼 중, GDRAM급 이상의 반도체 소자제조에는 SOI(Silicon On Insulator) 웨이퍼가 사용될 것으로 추측되어 개발을 시작했었다. 본 개발 6인치 SOI 웨이퍼는 진공접합에 의해서 계면결함을 제어하고, 표면 활성화층을 20㎛까지 연마한 것으로 향후 8인치급 SOI의 개발에도 연결될 수 있을 것으로 판단되어 진다.본 기술을 적용했을시, 차세대 반도체 기판재료의 국산화로 국가경쟁력 확보에 길을 틀 것으로 예상되며, 진공접합장치 제작으로 계면결함 제어가 가능해지고 6인치 SOI 웨이퍼의 반도체 소자제조 공정에 투입이 가능해 질 것으로 보여진다. 또한 반도체 소자생산 수율향상 가능의 효과도 있을 것으로 예상된다.