일반기술

ITO 소결체의 제조방법

본 발명은 ITO 소결체의 특성 향상을 위하여 인디움-산화물분말, 인디움-주석산화물 분말을 재침전법으로 제조하는 공정이 부가된 ITO 소결체의 제조방법에 관한 것임. 본 발명은 침전법으로 제조된 인디움 산화물 분말, 인디움-주석 산화물(ITO) 분말을 상압에서 범용의 소결로로 소결시켜 고밀도의 ITO소결체를 제조하는 ITO 소결체의 제조방법에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, ITO 소결체의 제조방법에 있어서, 적어도 두가지 이상의 염의 수용액을 혼합하는 혼합단계와, 상기 혼합용액에 소정의 알칼리를 첨가하여 혼합 슬러지를 침전시키는 혼합 침전단계와, 상기 침전된 혼합 슬러지를 재결정시켜 재침전시키는 혼합 재침전단계와, 상기 혼합 침전 및 재침전 단게에 의해 침전된 침전물을 여과하는 여과단게와, 상기 여과단계에서 여과된 침전물을 제1온도하에서 건조하고 제2온도하에서 하소하여 소정의 혼합 분말을 생성하는 분말생성단계와, 상기 분말생성단계에서 생성된 상기 분말을 볼 밀링하고 소정압력으로 프레스몰딩 및/또는 냉간정수압성형하는 성형단계; 및 상기 성형단계에서 성형된 소정의 성형체를 제3온도하에서 소정시간동안 소결하여 ITO소결체를 형성하는 ITO 소결체 형성단계를 포함하고 있어, 고밀도의 ITO 소결체를 용이하게 얻을 수 있는 장점을 제공한다상압 소결을 통해 4N 이상의 고순도이며 99.5% 이상의 소결 밀도를 갖는 ITO 타겟을 제조할 수 있는 고소결성 ITO 분말 제조에 관한 특허임.