일반기술

자기광학재료

본 발명은 자기광학재료중 패러데이 현상을 나타내는 가네트재료에 있어서, 격자상수가 큰 가네트계 기판을 잉용하여 비스무트 치환량이 증대되도록 하여 패러데이 회전능 값을 개선한 자기광학재료에 관한 것임. 본 발명은 자기광학 재료에 관한 것으로서, 더 상세하게는 자기광학재료 중 패러데이 현상을 나타내는 가네트 재료에 있어서 격자상수가 큰 가네트계 기판(격자상수 12.51A - 12.7A)을 사용하여 비스무투(원소기호 Bi) 치환량이 증대되도록 함으로써 패러데이 회전능의 값을 개선한 자기광학 재료에 관한 것이다. 이를 위한 본 발명은, 자기광학 재료에 있어서, 화학식 (A)3(B)5O12로 이루어진 기판이 PbO(38.7-73.2 mol%), Bi2O3 (12.4-90mol%), B2O3(4.1-16.5mol%), Tb4O7(0.1-1.5mol%), Ho2O3 (0-1.5mol%), Fe2O3 (7.3-18 mol%), Ga2O3 (0.4-1.5 mol%), Al2O3 (0.4-1.5mol%)의 조성비율을 갖는 용액에서 단결정막 성장되어 적어도 12.5A이상의 격자상수를 갖게 되는 점에 그 특징이 있다. 여기서, 상기 기판의 화학식중에서 A는 K, Ba, Na, Sr, Ca, La, Gd, Sm, Ln, Pb 등의 희토류 원소 및 천이원소이고, B는 Mg, Li, Fe, Zn, Ga, Ge, V, Si, W, Al, Sn 등의 희토류 원소 및 천이원소이다. 이로써, 본 발명은 패러데이 회전능의 가밧을 향상시킬 수 있고, 패러데이 회전자의 두께를 줄일 수 있는 이점을 제공한다격자상수가 큰 가네트계 기판을 사용사요 패러데이 회전능 향상