일반기술
GaAs 결정 성장로와 GaAs wafer 개발기술
현재, 국내는 GaAs wafer를 제조하는 없고 전량 미국, 일본, 독일이 생산하고 있다. 이들 대부분의 회사에서는 GaAs wafer의 결정 성장법으로 LEC와 VGF법으로 생산하고 있다. 그러나 이들 방법은 장비가격이 비싸고, 결정 경함밀도가 높으며, 생산자의 부주의가 제품의 품질에 영향을 미칠 수 있다. 고진공의 전기로는 As원소가 날아가 버리는 것을 방지하고, 대류성 열의 전도가 없고 오직 복사열만 존재하는 것으로 이 복사열의 경우는 전기로의 안정성이 그대로 시료의 안정성이 되므로 대류형 전기로의 온도변화를 줄일 수 있어 우수한 품질의 결정을 얻을 수 있다. 격자결함(As의 외부 이탈)을 막기위해 Mo용기와 뚜껑을 제조하여 그속에 시료를 넣어 As원소가 날아가버리는 것을 최소화하고 단결정의 전이 또는 Grain Boundary를 없애기 위해 고진공 전기로를 사용한다.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 집적회로설계 기술 (B63)
- 보유기관
- 대일기업평가원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-03-04
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
관련 특허
등록된 관련 특허가 없습니다.