일반기술

터널접합층을 갖는 질화물반도체 발광소자 및 그 제조방법

GaN에 기초한 질화물반도체 발광소자는 종래 기술로는 절연체를 기판으로 이용하므로 기판에 직접 전극을 형성시키지 못하므로 오믹접촉 금속전극 형성시 복잡한 공정이 요구되며, 많은 시간이 소요되고, 발광효율이 떨어지게 됨이를 개선하여 본 기술은1. 기판 상에 n형 질화물반도체로 이루어지는 n형 하부오믹접촉층을 형성하고,2. n형 하부오믹접촉층 상에 질화물반도체로 이루어지는 활성층을 형성하고,3. 활성층 상에 p형 질화물반도체층과 n형 질화물반도체층이 순차적으로 잭층되는 터널접합층을 형성하고,4. 터널집합층상에 n형 질화물반도체로 이루어지는 n형 상부오믹접촉층을 형성하고,5. n형 하부오믹접촉층이 노출되도록 n형 상부오믹접촉층. 터널접합층 및 활성층을 순차적으로 매사식각하고,6.n형 상부오믹접촉층과 n형 하부오믹접촉층에 오믹접촉되는 n형 오믹접촉 금속전극층을 n형 상부오믹접촉층과 n형 하부오믹접촉층 상의 소정영역에 각가 형성하는 것임 질화물반도체 발광소자 및 제조방법에 있어서 터널접합층을 도입함- 제조공정이 간단하고 신속함- 구동전압이 낮아짐- 발광효율을 향상시