일반기술
질화물반도체 수직공진 표면발광 레이져
VCSEL은 통상적으로 하부 및 상부 미러스택과 그 사이에 개재된 활성영역을 포함하여 이루어지는데 이 미러스택은 제조 및 전류주입이 어려움.본 기술은 이러한 과제를 달성하기 위하여- 고도로 도핑된 얇은 p-n 터널접합층을 전류쥬입구로 도입하고- 하부오믹접촉층, 상부오믹접촉층, 모두 n형 질화물반도체층으로 형성하여 전류주입구 전면잭에 고루 전류주입이 가능한 질화물반도체 VCSEL을 제작함고농도로 도핑된 얇은 p-n 터널접합층을 전류주입구로 도입하여 하부오믹접촉층 및 상부오믹접촉층 모두 n형 질화물반도체층으로 형성함으로써- 전류주입구 전면적에 있어 고루 전류주입이 가능함- 제작이 용이함
기술정보
- 기술분류
- 물리학 > 레이저 광학(R12)
- 보유기관
- 한국산업기술진흥원
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-04-10
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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