일반기술

화합물 웨이퍼(GaAs, SiGa-wafer)용 래핑연마재의 제조법

일반적으로 반도체 제조는 wafer-ingot glowing(성장), slicing(절단연마), laser marking&sorting, lapping(래핑연마), etching, heat treatment,polishing(광택연마), oxidation layering, photoresist coating, patterning, wire bonding, packaging, outgoing(출하) 등의 일련의 주된 공정이 있다. 여기에서 본 기술은 slicing과정을 통과한 뒤 lapping과정에 적용되는 래핑연마재이다. slicing과정에서 절단된 화합물 웨이퍼는 미세한 scratch, 요철 그리고 수십 마이크로미터정도의 slicing demage depth를 지니고 있는데 이를 래핑연마과정에서 흠(scratch),요철(평탄성,WARP or flatness) 그리고 slicing demage depth를 최소상태로 줄여서 후과정으로 이동되어야 한다. 소성 알루미늄 옥사이드(Al₂O₃98%이상, Fe₂O₃0.1%이하)를 원재료로 하여서 최적 온도와 시간유지의 용융,iron-free방식으로 평균 입자 직경이 1-3마이크로미터로 분쇄하는 초미립자 분쇄 그리고 균일한 입자 분포를 갖는 분급 등의 일련 과정으로 연구, 개발을 진행하였다.1.연마력을 보장하며 slicing demage감소를 위한 최적의 용융온도와 용융시간 유지방법의 개발.2.분쇄기 내부의 철분에 의한 scratch발생을 저감한 iron-free방식의 초미립자 분쇄방법 개발.3.요철 발생을 최소화시킬수 있는 균일한 입자 분포를 만드는 분급방법으로써 주로 광표시소자용으로 폭발적 수요가 증대되고 있는 1",2",3",4" 화합물 웨이퍼(GaAs, SiGa)의 연마용으로 적용되고 있는데 100% 수입품을 대체가 가능한 외산대체 국산품이다.