일반기술
0.1㎛용 니켈모노실리사이드 공정기술
최소선폭 0.1㎛ CMOS 공정에 적합한 두께 15㎚의 니켈모노실리사이드 공정기술. 기존 실리사이드 공정에서 NiSi를 채용하여 shallow transister에 적합한 실리사이드 물질 개발.두께 15㎚이고 cleaning 공정이 기존의 CoSi2,TiSi2에 비해 단순하여 경제적인 공정임.
기술정보
- 기술분류
- 전기·전자 > 반도체 재료 (B63)
- 보유기관
- 대학산업기술지원단
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-04-30
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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