일반기술

신 반도체 재료(T-1.125a)

게르마늄 단 결정(Ge)- 전위 밀도 104cm2, 직경 102mm, 두께가 150~480mm이며 단면 또는 양면 연마된 Ge 성분의 A3B5 단 결정 웨이퍼에 적용적층 구조(ES)- 직경 40~50mm, 두께 150~480mm를 갖는 정상/역 극성의 GaAlAs(SH,DH), GaAsO/GaAs, GaAsP/GaP 등은 액체 상태와 증기 상태의 적층의 방법으로 생산됨. 동 재료들은 저 잡음 고주파 트렌지스터, 광섬유(인듐, 게르마늄, antimonide-arsenide의 적층구조), 마이크로파 주파수 장비(Fe-Y garnet의 적층 필름) 등의 생산에 적용된다진단, 치료, 기능성 의료 장치를 위한 자기영역 박막필름의 활성 요소는, 급성 장염 및 성병을 포함하는 전염병, 박테리아 제거를 위한 마이크로 바이오 연구, 화상 및 피부병의 치료에 적용 됨.자기영역 박막필름의 활성 요소는 물리적 매개변수의 안정성, 유기용제, 산, 알카리 등에 대한 내구성이 뛰어나며, 반복되는 소독에 내성을 지니며, 가압멸균기내의 프로세스에서 매개변수의 변동이 필요치 않음.