일반기술

고성능 알루미늄 자유활동영역 반도체 레이저

700nm에서 800nm의 범위를 가지는 파장으로 빛을 방출하는 반도체 레이저는 알루미늄 자유 활성영역 레이어를 이용한다. 에칭 구조는 GaAs 와 AlGaAs 기판위에 성장하고 활성영역 레이어와 활성 영역층과 이웃한 컨파인먼트 레이어와 클래딩 레이어를 포함한다. 활성영역 레이어는 적어도 하나의 압축된 InGaAsP 전이층에 둘러싸인 양자 우물로 이루어져 있다. 이는 700nm와 800nm 사이에 선택된 파장의 빛을 방출하기 위해 선택된 활성영역의 폭과 조합으로 이루어진다. 높은 밴드갭 InGaAlP 클래딩(cladding) 레이어와 컨파인먼트 레이어는 양자우물에서 캐리어 누수(carrier leakage)를 방지하고 양자우물의 결정질을 개선한다. 이 레이저는 활동영역에서 알루미늄이 필요한 같은 파장범위를 방출하는 레이저 구조에서 얻을 수 있는 것보다 더 긴 수명을 위해 높은 신뢰도로 높은 파워에서 사용가능하다.양자 우물에서의 캐리어 누수를 방지한다. 양자 우물의 결정질을 개선한다.수명이 길고 고출력파워에서도 사용 가능하다.