일반기술

고용량 고체 메모리의 제조

이 기술은 정보를 테라바이트급으로 저장할수 있는 능력을 가진 반도체 메모리 및 디지털방식으로 n 비트 코드에 의해 접근가능한 고용량의 디지털 랜덤 억세스 고체 메모리 제조방식에 관한 것이다. 테입형태의 고용량메모리 소자를 얻기 위한 출력 회로와 어드레스 회로등과 같은 다양한 메모리 셀의 행렬로 이루어진 고용량 메모리를 연속공정으로 얇고 유연하고 긴 기판위에 제작된다. 이 과정을 n 번 반복하면 n 비트 코드의 비트수와 같은 다수의 광역 메모리 소자를 얻을 수 있다. 이것을 콤팩트 실린더 스풀형태로 겹쳐서 감는다. 이 광대역 메모리 요소들은 박막 트랜지스터 기술을 사용한 연속 리소그래피 공정으로 제조된다. 현재의 디지털 자기 테입에 있는 소실(drop-out)문제를 해결하기 위해서 2차원 오차 수정 코드가 사용되는데 2비트를 에러 수정 코드로 사용하고 8비트를 인코딩으로 사용하게 하여 10비트로 메모리를 구성하면 된다.고용량의 임의접근(random access)가능한 고체메모리 제조법n-bit code로 고체 메모리는 디지털 주소로 접근가능하다.값싼 roll-to-roll 프로세싱