일반기술

저속 양전자 발생 장치

1. 시료에 양전자를 투과시킨 후 양전자소멸시간을 측정하여 시료의 미세구조결함을 분석하는 양전자응용분석장치(양전자응용분석을 위한 각종 모듈을 집적시킨 소형화)2. 입력 공동과 출력 공동의 중앙부를 연결하여 내부에서 전자기파 에너지를 귀환시킴으로써 구조를 단순화시키고 제작이 용이한 초고주파 발생 장치(초고주파 발진관내부를통하여 초고주파 발생 장치의 출력 공동으로부터 입력 공동으로의 귀환 전력을 전달하도록 한 초고주파 발생 장치)3. 전자렌즈에 사용되는 장치(초고주파 에너지를 발생시키는 간단한 구조를 갖는 초고주파 발생 장치)4. 분석하고자 하는 시료 위를 스쳐 지나가는 동안 그 전면에 걸친 결함분석을 할 수 있도록 된 스캐너형 양전자 분석 장치(스캐너형 양전자 분석장치는 스캔 방식이므로 기존의 단층촬영장치보다 사용이 용이하며 시료 전면에 대한 결함분석이 가능)5. 시료에 양전자를 투과시킨 후 양전자가 소멸되는 시간을 측정하여 시료의 미세구조결함을 분석하는 양전자응용 분석장치(원자단위의 극미세한 격자결함을 분석) 6.모더레이터의 일측면을 팁으로 형성하고 모더레이터의 상부 및 하부표면에 금속층을 형성하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 대한 얻어지는 저속 양전자의 수를 증가시키는 저속양전자 발생장치7.모더레이터의 일측면을 팁으로 형성하고 이 팁의양측면에 게이트전극을 절연층을 형성하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 대한 얻어지는 저속 양전자의 수를 증가시키는 저속 양전자 발생장치8.모더레이터를 팁형태로 제조하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 대한 얻어지는 저속 양전자의 수를 증가시키는 저속 양전자 발생1. 양전자응용분석을 위한 각종 장치를 집적시킴으로써 전체 시스템을 소형화시킬 뿐만아니라 이동을 용이하게 하고 한 개의 시료로도 분석 가능(검출기의 예비시이트를 마련하여 시료의 크기가 클 경우에도 분석이 가능)2. 상기 내부 결합기의 출력 공동측 끝 부분에 원형의 도체판을 설치하는 것(상기 내부결합기 주위의 일부에 상기 입력 공동과 출력공동사이의 전자기파 위상차를 조절하는 유전체를 설치(초고주파 발생 장치에 따르면 입력공동과 출력공동의 중앙부를 연결하여 내부에서 전자기파 에너지를 귀환시킴으로써 귀환 전력이 용이하게 전달, 구조를 단순화시키고, 제작을 용이, 제작비용을 절감)3. 제1그리드와 제2그리드이 조합구조에 의해 전자빔이 효과적으로 접속되고 제어되므로, 마그네트가 불필요하며 제2그리드와 애노드가 출력 캐비티를 이루고 제1그리드,캐소드, 쵸크구조몰이 입력캐비티를 이루어 구조가 간단하고 또한 출력캐비티와 입력캐비티가 캐비티상호간에 분리된 구조를 갖고 있어 고조파 및 노이즈에 대해 영향이 적다. 또한 트리밍저항에 의해 제1그리드의 바이어스 전위를 조정하여 초고주파 에너지의 출력을 가변할 수 있다.4. 스캐너형 양전자 발생장치에 의하면 이동과 사용이 용이하며 시료 전면에 대한 분석이 가능5.양전자응용 분석장치에 의하면 양전자의 소멸시간을 측정하여 시료을 분석함으로 전기적으로 취약한 시료의 분석이 가능하고 양전자의 소멸시간이 보통의완전격자의 위치에서 보다 전자밀도가 낮은 공격자점에서 길어진다는 원리에 착안하여 시료를 분석함으로 원자단위의 극미세한 격자결함을 분석6. 저속양전자발생장치는 양전자를 방출하는 양전자원과 상기 양전자원으로부터 양전자를 입사받아 저속 양전자를 강제로 재방출하는 모더레이터와 상기 모더레이터의 상부 및 하부표면에 형성된 금속층과 상기 금속층과 전기장을 형성하여 저속 양전자의 방출을 용이하게 하고 이 방출된 저속 양전자를 가속시키는 가속전극을 포함. 저속양전자 발생장치는 모더레이터를 팁모양으로 제조한후 금속층을 형성하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 대한 얻어지는 저속 양전자의 수의 비를 증가시켜 수율을 향상7.저속양전자발생장치는 양전자를 방출하는 양전자원과 상기 양전자원으로부터 양전자를 입사받아저속양전자를 강제로 재방출하고 상부에 다수개의 팁이 형성된 모더레이터와 상기팁의 양측면에 전기전도성이 없는 부도체로 형성된 절연층과 상기절연층 상부에 형성되고 상기 팁으로부터 상기저속양전자의 방출을 용이하게 하는 게이트 전극과 상기 모더레이터와 전기장을 형성하여 방출된 저속 양전자를 가속시키는 가속전극을 포함. 저속 양전자 발생장치의 모더레이터를 팁모양을 형성한 후 이 팁의 양측면에 게이트전극을 갖는 절연층을 형성하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 대한 얻어지는 저속 양전자의 수의 비를 증가시켜 수율을 향상8.저속양전자발생장치를 팁모양으로 형성하여 양전자원에서 출력되는 총 양전자수에 해단 얻어지는 저속양전자의 수의 비를 증가시켜 수율을 향상