일반기술

강화된 위상이동제거 브라이트 픽 마스크와 사용법

본 기술은 게이트 폭이 30nm 이하인 나노소자를 제조하기 위한 고해상도 리도그래피(lithography)이다. 리도그래피 공정은 웨이퍼에 이미지를 투영하고, 이 이미지는 칩의 속도를 결정하는 폭을 가지는데 이용된다. 예로 펜티엄3과 펜티엄4 칩은 명목상 약 180nm와 120nm의 노드 사이즈를 가지고 있다. 거기에는 더 작은 모양을 만들지 못하는 몇 가지 제약이 있는데 그중 하나는 회절이다. 회절은 마스크에 있는 모양보다 더 크게 칩에 모양이 생성되는 원인이 되는 리도그래피 공정의 불필요한 부작용이다. PSM(phase shifting mask)을 포함해서 회절 효과를 최소화 할려고 많은 기술들이 채용되었는데 PSM은 회절을 최소화 하기 위해 위상 차이를 조정한다. 그러나 더 작은 파장을 가진 X 레이와 함께 PSM은 1차원적인 해상도의 강화만 가져올 뿐이었다. 이 기술은 소자 게이트 폭과 같이 1차원적인 모양뿐만 아니라 접촉홀(contact hole) 또는 vias 같은 2차원적인 패턴에도 사용되는 깨끗한 위성 이동 마스크를 제공한다. 특히 개개의 에지와 결합하고 있는 bright-peak 사이에 일어나는 간섭같은 두 개의 인접 위상 이동 에지(edge)를 위치시켜 회절을 최소화하고 인텐서티(intensity)를 세게한다.마이크로프로세서 같은 저밀도 초소형회로를 위한 1차원,2차원 패턴 이미징에 적합하다.프린트된 웨이퍼의 모양은 마스크 모양 보다 작다.마스크와 웨이퍼사이 틈의 구속이 적어진다.이 공정은 intensity를 강화하고 positive resist가 덜 민감해도 된다.