일반기술

멀티레벨 Deep X 레이 리도그래피를 위한 정렬법

본 기술은 다층 미세 구조의 제작을 위해 X-ray 마스크와 디바이스 기판사이에 정밀한 얼라인먼트를 위한 공정이다. 기판 위의 첫 번째 포토레지스트층은 첫 번째 미세구조층의 패턴을 따라 X-ray 마스크에 의해서 첫 번째 얼라인먼트 홀을 포함하게 패턴화 된다. 포토레지스트 레이어 마스크는 미세구조 디바이스 기판에 붙여지는 부가적인 포토레지스트층을 패턴화 하기 위해 사용되는 두 번째 마스크에 붙여진다. 마스크 포토레지스트층은 디바이스 기판 위에 첫 번째 포토레지스트층에 있는 얼라인먼트 홀에 대해 기하학적으로 맞아들어가는 마스크 얼라인먼트 홀을 포함하게 형성된다. 두 번째 마스크와 첫 번째 포토레지스트층 사이의 얼라인먼트는 첫 번째 포토레지스트층에 있는 두 번째 마스크의 조합에 의해 만들어진다. 이는 마스크 포토레지스트층에 있는 마스크 얼라인먼트 홀을 통과하는 첫 번째 포토레지스트층에 있는 첫 번째 얼라인먼트 홀에 위치한 얼라인먼트 post를 이용한다. 얼라인먼트 공정은 특별히 Deep X-ray 리소그래피와 전기도금을 사용하는 다층 금속 미세구조 제조에 적용 가능하다. 이 얼라인먼트 공정은 얼라인먼트 post를 이용해서 합쳐진 서브시퀀트 마스크와 첫 번째 포토레지스트 사이의 spacer 포토레지스트 시트를 사용한 더 큰 디바이스 길이와 다중의 포토레지스크층까지 확장될 수 있다.다층의 미세 구조 제작에 사용 가능하다.긴 spacer 포토레지스트 시트에까지 적용 가능하다.