일반기술

마이크로제작 디바이스 플라스마 전하 유도 데미지 감소법

이 기술은 플라즈마 마이크로제작시 디바이스 데미지를 최소화한다. 반도체 집적회로 제작시 플라즈마는 일반적으로 에칭 또는 물질을 디바이스에 정착하는데 이용한다. 플라즈마는 종종 우리가 원하는 효과를 만들기 위해 집적회로와 관련되는 면이 많다. 결과적으로 음 또는 양으로 대전된 입자의 초과분이 정착된다. 전하는 축적되고 프로세스된 소자에 영구적인 데미지를 일으키는 전기장을 형성한다. 게다가 대전이 됨은 플라즈마 시스템의 프로세싱 특성을 낮추고 흠이 생기거나 휘는 현상을 더 드러나게 한다. 데미지를 일으키는 플라스마 프로세스는 마이크로제작을 하는 이들의 관심 대상이 되었는데. 이 기술은 집적회로 소자를 진공의 자외선(VUV,vacuum-ultraviolet)에 노출시킴으로서 플라즈마 전하 유도 데미지를 감소 시킨다. 이 기술은 진공자외선을 쬐는 것은 유전성 물질의 전기적 특성을 변화 시킨다는 것을 보여준다. 이 결과는 데미지가 없는 전류의 방전을 허용하는 유전 전도율의 일시적인 증가를 가져온다.플라스마 유도 대전 데미지를 줄인다.접적회로제작의 플라스마 프로세싱이 끝나거나 그 도중 혹은 프로세싱이 바뀌는 부분등 다양한 영역에서 이 기술이 실행될수 있다. 유전표면에 일어나는 대전현상이 있는 어떤 프로세스에도 사용할수 있다. 금속과 oxide 플라스마 에칭 플라스마 oxide 정착 플라스마 도핑 이온 이식 플라스마 에칭 플라스마 스퍼터 정착 마그네틱 레코딩 헤드에서의 alumina 스퍼터 정착진공자외선 소스는 플라스마 체임버와 분리될수 있고 유리 모세관 어레이를 사용한 체임버에 도입될수 있다.LAM 9000시리즈와 EMax 플랫폼 Centura 등 모세관을 포함시키기 위해 쉽게 개조할수 있는 플라스마 시스템에 비배타적이다.