일반기술

기판에서 이온에너지 분포 제어 플라즈마 프로세싱법과 장치

플라즈마 프로세싱에서 바이어스 전압은 플라즈마 반응기내에서 지원되는 처리된 기판이 있는 플랫폼에 DC 저지 콘덴서를 통하여 파워 서플라이로부터 제공된다. DC 저지 콘덴서에 적용된 주기적인 바이어스전압은 두 번째 낮은 레벨에서의 펄스 피크 보다 낮은 첫 번째 레벨에서부터의 전압강하에 의한 전압펄스 피크로 이루어져 있는 파형을 가진다. 바이어스 파형의 주기와 각각의 전압 펄스 피크 사이의 기판 위에 실질적으로 일정한 DC self-bias 전압을 유지하기 위해서 기판 위의 이온 누적 효과(effect of ion accumulation)를 보정하거나 없애기 위해서 선택된다. 파형은 기판에서 선택 이온에너지의 중심에 있는 좁은 단일 피크를 가지는 이온에너지 분포 함수와 같이 각각의 바이어스 전압의 사이클동안 전압강하에 의한 단일 전압 펄스 피크를 포함한다. 또한 이 파형은 두 개의 다른 일정한 DC 레벨에 있는 각각의 펄스 피크를 따르는 DC 바이어스 전압과 함께 각각의 사이클 동안 두 개의 전압피크로 이루어진 기판의 바이어스 전압을 제공하기 위해 선택된 전압강하에 따르는 두 개의 펄스 피크로 이루어져 있다. 이것은 기판에 다른 이온 에너지에 실질적인 이온 플럭스가 없이 선택된 두 개의 이온에너지의 중심에 위치한 두개의 이온 플럭스 피크를 포함하는 에너지 분포함수를 나타낸다.위에서 나오는 이온 에너지 분포 함수는 우리가 원하는 플라즈마 처리 공정에 가장 적합하게 적용할수 있고 기판 위의 차등 충전 효과(effects of differential charging)를 감소할 수 있다.