일반기술

마이크로 플라즈마를 이용한 에칭 및 정착법과 그 장치

이 기술은 큰 기판의 면적 위에 물질을 더하거나 없애기 위해 마이크로 플라스마의 사용법이다. 플라즈마는 집적회로와 마이크로 전기역학 시스템(MEMS)의 제조에 일상적으로 사용된다. 플라즈마는 반도체 같은 기판 위에 물질을 얇은 박막으로 정착하거나 에칭하기 위해서 사용된다. 상업적으로는 단일 유도 저항성 플라스마는 전체 웨이퍼를 처리하기 위해 사용된다. 그러나 몇 개의 약점이 있는데 현재의 12 인치만큼 큰 점점 더 커지는 웨이퍼의 크기에 비추어 볼 때 더 비싸고 지속적인 큰 유도 저항성 플라즈마(reactive plasma)가 필요한 것이다. 또한 서로 다른 물질의 박막을 기판의 분리된 면적에 정착시키는 것은 몇 가지의 차폐(masking)단계가 필요하다. 이 기술은 서로 평행하게 공간적으로 배치된 마이크로 플라즈마의 오퍼레이팅을 이용하고 생성하기 위한 방법이다. 이것은 플라스마가 이러한 영역의 처리 요구사항에 맞는 특이영역으로 발전했음을 말한다.기판의 영역은 다양한 조건과 시간에서 플라즈마 에칭된다.플라스마는 수십마이크론에서 1센티미터 이상까지 동작조건을 바꿈으로서 조정할수 있다.종래의 에칭법과 같이 마스크의 개구에 에칭 크기가 한정된다.서로 다른 재료들은 분리된 리도그래피 마스크와 마스크 교환없이 기판위에 다양하게 정착할 수 있다.전극을 패턴화하고 각각의 특이 영역에서 시간에 따라 인가 전압을 바꿈으로서 플라즈마의 방향성과 다른 특성이 조절가능하다.원래 위치의 플라즈마는 더 높은 균일성과 능력을 가지고 IC와 MEMS의 제조에 사용되는 플라즈마 장치와 관련해서 장치 비용을 줄인다.