일반기술

표면물질 제거를 위한 종자의 저온플라즈마 처리법

상업적인 종자는 종자의 생존력과 발아를 강화하는 살충제와 살균제와 함께 일반적으로 처리하게 된다. 그러나 점점 길어지는 종자의 저장기간동안 표면처리의 성분은 활성이 떨어지고 잠재적으로 유독한 화합물로 떨어진다. 이것들은 종자를 심거나 동물들이 먹기에 부적합하게 만든다. Wet-chemical 공정은 표면화학물질을 제거하기 위해 사용된다. 그러나 이러한 방법들은 많은 양의 액체 (물, 유기용제)가 필요하고 비산 건조 기술을 사용해야 한다. 이 기술은 종자로부터 표면 물질을 정밀하고 효과적으로 제거하는 혁신적인 저온 플라즈만 과학 기술이다.이 방법은 예를 들어 공기나 산소 같은 종자에 무해한 가스에서 연소시키는 저온 플라즈마 반응실의 내부에서 종자를 노출시킨다. 플라즈마는 분자 분열(fragmemtation)(etching)의 goto 종자 표면의 화학물질을 제거한다. 저온 플라즈마 에칭은 빠르고 굉장히 정확하고 고도로 조절가능한 건조 과정이다. 즉 플라즈마는 종자의 용적은 변하지 않게 종자의 가장 바깥층하고만 상호 작용을 하기 때문에 반응조건은 정확하게 지정된다특히 살충제와 살균제를 사용하는 곡물종자에 알맞게 매우 효과적으로 정밀하게 종자의 표면 화학물질을 제거한다. 효과적인 제거를 위해 10분정도의 처리시간밖에 들지 않는다.많은양의 용재 보다 훨씬 작은 양의 기체 상태의 재료만 필요하므로 환경에 영향을 최소화 한다.어떤 종류의 종자든 포면 코팅의 상태가 어떻든간에 사용할 수 있다.처리하는 동안 종자속에 독성침투를 초래하는 습기가 필요 없다.저온플라즈마 에칭으로부터 나오는 분자 파편은 일반적으로 쉽게 제거되는 기체 상태의 성분이다.종자에서 분진, 박편등을 제거하기 위해서 사용할 수 있으며 깨끗한 종자 생산과 발아 컨트롤을 위한 종자 표면층을 전체 또는 부분제거할 수도 있다