일반기술
나노자성박막의 원자배열 제어기술
강자성/반강자성 박막 접합 구조가 자기장 인가에 따라 전기저항이 크게 변화하는 현상(GMR)을 이용하면 나노미터 크기의 메모리소자 등 각종 초미세소자 제작이 가능하다. 본 기술은 미세구조의 변화에 매우 민감한 강자성/반강자성 박막 접합 구조를 원자단위로 정밀하게 제어함으로써 초미세 자성소자의 성능을 극대화하는 기술이다.강자성/반강자성 접합 계면은 두께가 수십 나노미터에 불과하다. 자성 박막의 증착 조건과 열처리 방법을 통해, 접합 계면에서의 집합조직을 바꿈으로써 해당 계면에서의 원자 배열을 제어할 수 있다.
기술정보
- 기술분류
- 재료 > 기타 세라믹재료
- 보유기관
- 대학산업기술지원단
- 기술유형
- 일반기술
- 등록일
- 2002-05-23
- 데이터 갱신일
- 정보 없음
상세설명
정보 없음
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