일반기술

더블 게이트 MOSFET 생산법

금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 기술은 오늘날의 지배적인 전자 디바이스 기술이다. 기능을 강화시키기 위해서는 주로 소자를 축척(scale)한다. 그러나 MOSFET은 100nm 이하의 채널 길이에 축척 되어 있어서 종래의 디바이스는 short channel effect와 게이트 컨트롤의 감소 같은 문제가 있다. 이 이중 게이트 MOSFET 소자는 채널의 양쪽 사이드에서부터의 게이트 컨트롤이 가능하고 쇼트 채널 효과를 감소시킨다. 게다가 디바이스가 양쪽의 게이트를 사용하게 될 때, 두 개의 전도층이 전류의 흐름을 증가시키기 좋게 형성된다. 이 기술은 종래의 MOSFET 제작과 호환성이 있는 제조 과정에 의해 이중 게이트 MOSFET과 CMOS 소자를 만드는 방법에 관한 것이다. 이 디바이스는 fin으로 사용되는 절연층으로부터 연장되는 디바이스와 함께 절연층 위에 있는 실리콘층 위에 제작된다. 이중 게이트는 전류 구동력을 강화하고 효과적인 쇼트 채널 효과를 억제한다. 두 개의 트랜지스터는 fin 위에 게이트를 공유하는 CMOS 트랜지스터 쌍을 만들 수 있게 쌓을 수 있다.이중 게이트 구조는 short channel effects를 줄인다.또한 강화된 drive current를 제공한다.